式中：Uturnon为LED的启动电压；Rs为伏安特性曲线的斜率；T为环境温度；△UF/△T为LED正向电压的温度系数，对于多数LED而言，典型值为-2V/℃；而根据表1-6的数据表明，Cree@XLamp@XR-ELED的AUF/△T的典型值为-4V／℃，这是由于CreeLED的基座与其他厂商的不同而导致的。
从LED伏安特性曲线及数学模型看，LED在正向导通后其正向电压的细小变动将引起LED电流的很大变化，并且环境温度、LED老化时间等因素也将改变影响LED的电气性能。而LED的光输出直接与LED电流相关，所以LED驱动电路在输入电压和环境温度等因素发生变动的情况下最好能控制LED电流的大小；否则，LED的光输出将随输入电压和温度等因素变化而变化，并且若LED电流失控，LED长期工作在大电流下将影响LED的可靠性和寿命，并有可能失效。
3．LED的伏安特性
发光二极管电压与电流的关系如下图所示。
在正向电压小于某一值（叫阈值）时，电流极小，不发光；当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由UF-IF曲线可以得出发光管的正向电压、反向电流及反向电压等参数。正向的发光二极管反向漏电流IR<lOμA以下。
下图是Cree@XLamp@XR-ELED白光LED的伏安特性，这类LED具备与一般二极管相同的特性，图中正向电压低于2.2V或2.5V以下时，几乎没有任何电流流动，不过一旦超过上述两电压，电流就开始流动。要使LED点亮的电压随着各产品不同，一般需要2.5～4V左右的电压。直流驱动时，LED的亮度一直到该产品的设计值为止，几乎与电流呈直线性比例。利用PWM脉冲驱动时，LED的亮度与占空比几乎呈直线性关系。
4．结温对LED正向电压的影响
正向电压是判定LED性能的一个重要参量，它的数值取决于半导体材料的特性、芯片尺寸以及器件的构成与电极制作工艺。相对于20mA的正向电流，通常InGaAIPLED的正向电压在1.8～2.2V之间，而发蓝、绿光的InGaNLED正向电压处在3.0～
式中：UF为正向电压；IF为正向电流；Io为反向饱和电流；q为电子电荷；K为玻尔兹曼常数；Rs是串联电阻；，z为表征P/N结完美性的一个参量，处在1～2之间。分析式(1-4)的右边发现只是反向饱和电流b与温度密切相关，Io值随结温的升高而增大，导致正向电压UF值的下降。实验指出，在输入电流恒定的情况下，对于一个确定的LED器件，两端的正向压降与温度的关系为
式中：UFT与UFTO分别为结温为T与To时的正向压降；K为压降随温度变化的系数。
电压随温度的变化是可恢复的，但如在高温情况下，由于结区缺陷与杂质的大量增殖与集聚，也将造成额外复合电流的增加，而使正向电压下降。通常，恒流是LED工作的较好模式，如在恒压条件下，由于温升效应使正向电压下降与正向电流增加，并形成恶性循环，最终导致器件损坏。
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