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具有快速开关和低VCESAT的1200V碳化硅双极性晶体管

具有快速开关和低VCESAT的1200V碳化硅双极性晶体管

点击数:7265 次   录入时间:03-04 12:03:21   整理:http://www.55dianzi.com   元器件特点及应用

    由于能源成本上升和人们积极应对全球变暖,电力电子设备的能源效率已经变得越来越重要。为了提升电力电子设备的能源效率,具有较低功率损耗的功率半导体器件技术是关键所在。在半导体器件中,功率损耗的降低可以改善系统效率,并带来直接的能源节省。降低的低功率损耗同样是有益的,可以减小系统体积,并增加像在混合动力及电动汽车领域的市场渗透。

    随着开关电源和太阳能DC/AC转换应用逆变器市场不断增长,碳化硅(SILICon carbide,SiC)功率二极管得到了广泛应用。SiC二极管技术的主要优势是快速开关且无反向恢复。当与超级结FET等快速开关器件一起使用时,SiC二极管能够实现更高的开关频率,减少无源元件并降低总体系统成本。SiC二极管技术已在现场应用中被证明是可靠的,采用工业晶圆,使得外延和半导体制造工艺用于SiC成为可能。后面重要的一步就是将向市场推出SiC功率开关管。

    SiC功率开关管与SiC二极管一起使用,可以进一步减小开关功率损耗,相比Si超级结FET或IGBT,具有显着降低的通态(on-state)功率损耗。基于SiC功率器件系统的一个优点就是,可以工作在更高的结温,采用合适的封装技术,器件的工作温度甚至可以达到250℃。

    在SiC功率开关管中,三种相互竞争的技术MOSFET、JFET和双极性晶体管(bipolar junction transistor,BJT)均可提供样品或完全上市的成品。飞兆半导体已经开发了额定电压为1200 V的BJT器件,与硅功率双极性晶体管截然不同。它具有很高(接近于100)的电流增益,且在大集电极电流下无衰减;开关速度象单极器件一样快,并且非常稳健,没有二次击穿问题。

    图1显示了飞兆半导体SiC BJT有源区的横截面原理图,该器件是一种垂直外延NPN晶体管,集电极在晶圆的背面。基极-发射极和基极-集电极结可通过干法刻蚀来形成,在有源区内有许多窄发射极梳状条,由基极-集电极结环绕着。P型离子注入用于形成低电阻基极欧姆接触和高压阻挡结终端。蚀刻和曝光的表面被钝化,在厚绝缘氧化层沉积后进行厚铝垫(Al pad) 沉积,用于形成发射极和基极。在SiC BJT芯片的背面进行金属化,可兼容标准的贴片技术,正面有厚Al层适合厚Al引线粘接。SiC BJT备有两种封装:标准TO-247和专用高温金属TO-258封装。这些封装提供两种不同的芯片尺寸,分别用于15A和50A额定电流。

    图1 BJT有源区和结端横截面原理图

    图2显示了采用TO-247封装的1200V SiC BJT在室温下的IC-VCE特性曲线。SiC BJT具有良好的传输特性,并具有确定的导通电阻,类似于功率MOSFET。图3显示了电流增益、VCESAT 和VBESAT与集电极电流的特性曲线。电流增益随集电极电流而增加,并在15A的额定电流下,达到略高于100的稳定水平。在高集电极电流下,电流增益无衰减,因为SiC中的掺杂浓度高于Si功率BJT。因此,在额定电流下高量注入不会发生。


    图2 室温下额定15 A的1200 V SiC BJT 的IC-VCE特征曲线

    图3显示了VCESAT 随集电极电流呈线性增加,且在额定电流IC=15A时,其值为0.75 V。对于具有4.68 mm2有源区(active area)的15A SiC BJT芯片,相应的特征导通电阻(specific on-resistance)仅为2.3 mΩcm2。就我们所掌握的知识,对于任何1200 V额定功率器件,这是最小的特征导通电阻。在VCEO=1200 V时的关断状态(open-base)下,15A SiC BJT的漏电流小于10μA,并且击穿电压的典型值是1500V。



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    图4显示了15A 1200V SiC BJT在IC=12 A和800 V及150℃下的开关测量值,其结果是VCE上升和下降时间在10ns-30ns范围内。即便在150℃下,关断性能也无拖尾电流,因为SiC BJT的存储电荷非常少,可以推动SiC BJT进入深度饱和,而无开关损耗。在通态(on-state)期间,SiC BJT的快速开关是由于基区和集电区中存储的自由载流子电荷较少,所以可以忽略对开关性能的影响。开关速度只受寄生的基极-集电极和基极-发射极电容控制,因此证明了开关速度和开关功率损耗极可能与温度无关。

    图4 在T=150 C与IC=12 A和VCE=800 V下,导通(左)和关断(右)的开关测量数值

    为了实现快速开关,在导通(turn-on)和关断(turn-off)期间,使用提供高动态基极电流的驱动电路是非常重要的。图4中的开关波形包含了不需要的振荡,它的产生是因为TO-247封装和测试电路中的寄生电感。通过把SiC BJT芯片封装在具有最小电感的电源模块中,并分开用于驱动电路和发射极间连接的引脚,可以获得改进的开关性能。

    飞兆与Danfoss SILicon Power和德国基尔应用科学大学(University of Applied Sciences Kiel)合作,研制了具有多个并行BJT芯片的原型电源模块。原型电源模块包含了两个引线,有六个并行联接的50 A SiC BJT芯片和六个反向并联的50 A SiC肖特基(Schottky)二极管芯片。该电源模块的尺寸为61 mm x 49 mm,采用环氧树脂封装,采用银烧结贴片技术。图5显示了单引线SiC BJT模块的IC-VCE 特性曲线。在IC=300 A下,正向压降VCESAT只有1.0 V。

    图5 使用六个平行50 A 1200 V BJT芯片,采用环氧树脂封装的原型电源模块的单引线IC-VCE特征曲线

    来自SiC BJT的外部器件评估结果是肯定的。仿真结果表明,假如可以用SiC BJT 取代Si IGBT,在PV逆变器中使用1200V器件,升压转换器的开关频率可以从16 kHz提高到64kHz,而不会增加总的功率损耗。使用SiC BJT和SiC肖特基二极管的完全基于SiC的电源模块技术,对于光伏逆变器和高端马达驱动,能够提高效率和增加开关频率。我们提供驱动电路指南和应用指南以支持SiC BJT技术,为客户提供改进能源效率的解决方案。也提供采用特殊金属TO-258封装的SiC BJT,目标为高温电力电子设备应用,比如石油和天然气钻探及航空。




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