硅
稳压二极管（简称硅稳压管）实质上是一个硅晶体二极管。稳压二极管的
实例和管子的符号如图Z0113所示。
1．二极管的击穿现象 由二极管的伏安
特性可知，当加于它两端的反偏
电压超过反向击穿电压之后，二极管将发生击穿现象。二
极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。
（1）雪崩击穿 对于掺杂浓度较低的PN结，结较厚，当外加反向电压高到一定数值时，因外电场过强，使PN结内少数载流子获得很大的动能而直接与原子碰撞，将原子电离，产生新的
电子空穴对，由于链锁反应的结果，使少数载流子数目急剧增多，反向
电流雪崩式地迅速增大，这种现象叫雪崩击穿。雪崩击穿通常发生在高反压、低掺杂的情况下。
（2）齐纳击穿 对于采用高掺杂（即杂质浓度很大）形成的PN结，由于结很薄（如0.04μm）即使外加电压并不高（如4V），就可产生很强的电场（如
）将结内共价键中的价电子拉出来，产生大量的电子一空穴对，使反向电流剧增，这种现象叫齐纳击穿（因齐纳研究而得名）。齐纳击穿一般发生在低反压、高掺杂的情况下。
（3）热击穿 在使用二极管的过程中，如由于PN结功耗（反向电流与反向电压之积）过大，使结温升高，电流变大，循环反复的结果，超过PN结的允许功耗，使PN结击穿的现象叫热击穿。热击穿后二极管将发生永久性损坏。
对于硅PN结，击穿电压在7V以上的为雪崩击穿；4V以下的为齐纳击穿；在。4～7V之间的两种情况都有。无论哪种击穿，只要控制反向电流的数值不致引起热击穿，当反向电压下降到击穿电压以下，其性能可以恢复到未击穿前的状况。
2. 稳压管的击穿特性稳压管的正向特性与一般二极管相同，而反向击穿特性很陡峭。
3. 稳压管的主要参数 （1） 稳定电压VZ
Vz稳压管反向击穿后其电流为规定值时它两端的电压值。不同型号的稳压管其
Vz的范围不同；同种型号的稳压管也常因工艺上的差异而有一定的分散性。所以，
Vz一般给出的是范围值，例如2CW11的
Vz在3.2～4.5V （测试电流为10mA）。当然，二极管（包括稳压管）的正向导通特性也有稳压作用，但稳定电压只有0.6～0. 8V，且随
温度的变化较大，故一般不常用。
（2）稳定电流IZ
IZ是指稳压管正常工作时的参考电流。
Iz通常在最小稳定电流
IZmin与最大稳定电流
IZmax之间。其中
IZmin是指稳压管开始起稳压作用时的最小电流，电流低于此值时，稳压效果差；
IZmax是指稳压管稳定工作时的最大允许电流，超过此电流时，只要超过额定功耗，稳压管将发生永久性击穿。故一般要求
IZmin
＜Iz
＜IZmax。
（3）动态电阻rZ
rZ是指在稳压管正常工作的范围内，电压的微变量与电流的微变量之比。
rZ越小，表明稳压管性能越好。
（4）额定功耗PZ
Pz是由管子温升所决定的参数，
Pz
＝Vz
IZmax。
（
5）温度系数α α是指
Vz受温度影响的程度。硅稳压管在
VZ＜4V时α＜0；在
VZ＞7V时，
α＞0；在
VZ= 4～7V时，
α很小
本文关键字：稳压二极管 元器件特点及应用，元器件介绍 - 元器件特点及应用
