图1 简化了的水平偏转电路图
图2 水平偏转电路中电流和电压的波形
正向压降VF及导通功率损耗Pcond可以用下式计算：
Pcond = Vt0．δ．IP/2 + Rd．δ． IP2/3
而VF(IF) = Vt0 + Rd IF，其中δ是占空比，IF是正向电流， Vt0是阈电压，Rd是正向电阻。以DTV1500M阻尼二极管为例，由使用说明书查得：Vt0 = 1.37 V、Rd = 0.047 Ω，以及IF = 4 A、δ = 0.45，於是得到Pcond = 1.35 W。
正向电压的峰值VFP及由截止到导通的开关损耗Pon。在t = t２时，二极管由截止变成导通，在二极管上有电流流过，它两端的电压VFP很高（参见图3），切换过程会引起能量损耗Won。切换过程所损耗的能量可以用下式计算：
Won = ∫0 tfr vidt
二极管从截止变成导通的开关功率损耗可以由Pon = Won F得到。以二极管DTV1500M为例，由图3可以得到Won = 14μJ，以及Pon = 0.98 W（在频率为70 kHz时）。在开关频率很高时，由这个例子可以看到，Pon 就很大，VFP成为一个关健的参数。VFP的数值随著(dI/dt)ON而增大。在这种应用中，这个参数主要是取决於印制电路板的布置，通常低於100A/μs。
图3 阻尼二极管从截止到导通时的电流、电压以及切换过所损失的能量
泄漏电流及其引起的反向功率损耗。新系列的阻尼二极管是用新的技术制造，它的泄漏电流很小；与其它因素所引起的功率损失相比，泄漏电流所引起反向功率损耗（Prev）可以忽略不计。
反向恢复时间trr及导通变截止的功率损耗Poff。在t = t0时，二极管由导通变成截止。这时二极管上的电压很低（等於晶体管的饱和电压VCEsat），在阻尼二极管上消耗的功率Woff也很小（从t0至t1这段时间消耗的功率）。由於这时加在阻尼二极管上的电压很低，它有时间把反向恢复电荷全部清除掉。在一定频率下，如果trr过大，当晶体管在时刻t1变成导通时，阻尼二极管中就仍然会留有未清除掉的电荷。在这种情况下，反向恢复电荷是在高电压的情况下清除的，从而引起很大的切换能量损失（Woff）（见图2）。这个频率定义为临界频率FC。
当开关频率低於临界频率FC时，Woff可以忽略，因为在时刻t0，阻尼二极管己经把所有的反向恢复电荷全部搬走了。在开关频率高於FC时，切换时消耗的能量会很快地增加，会导致温升过高。这个临界频率不仅取决於反向恢复时间，而且也与二极管的结点温度以及晶体管的饱和压降VCEsat有关。VCEsat越大，频率FC越高（二极管更快地清除这些电荷）。
在设计偏转电路时，重要的一点是，应当保持Woff很小，使得结点温度在控制范围之内。这就是意法半导体之所以研制反向恢复时间短的器件的原因。
图4总结了不同阶段的功率损耗如下：
●Pon是与VFP及F成正比。
●Pcond取决於VF（Vto、Rd），IP以及δ。
●Prev可以忽略。
●在F < FC时，Poff可以忽略，在F > FC时，Poff增加很快。
● FC取决於trr、Tj（二极管工作时的结点温度）、VCEsat。
