对Flash存储器的编程

10.4.1编程闪速存储器

AT89C2051是在擦除状态(也即单元内容为FFH)下用2K字节的片内EEPROM代码存储阵列进行封装的，并且存储器是可编程的。代码存储阵列一次编程一个字节。一旦阵列被编程过，如要重新编程任一非空字节，则整个存储器阵列需进行电擦除。

    AT89C2051内Flash存储器的编程和校验如图10.5、图10.6、图10.7所示。

    1. 内部地址计数器：AT89C2051包含一内部EEPROM地址计数器，它总是在RST上升沿复位到000H并在XTAL1引脚有一正跳变脉冲时进行计数。

    2. 编程算法：要编程AT89C2051，则建议下列步骤。

(1) 上电次序：

         在 和GND引脚之间加上电源；

        设置RST和XTAL1为GND；

        所有其它引脚浮空，至少等待10ms。

(2) 设置RST引脚为高‘H’，设置P3.2引脚为高‘H’。

(3) 对引脚P3.3，P3.4，P3.5，P3.7加上逻辑电平高‘H’或低‘L’的正确组合，来选择EEPROM编程方式如表10.4中所示中的一种编程操作。

    编程和校验存储器阵列，由下列(4)～(10)点实现：

(4) 在000H单元对P1.0～Pl.7加人数据代码字节。

(5) 升高RST到12V来激活编程。

(6) 使P3.2跳变一次来编程EEPROM阵列中的一字节或者加密位。写字节周期是自身定时的，一般需用l.2ms。

(7) 校验已被编程的数据，使RST从12V降到逻辑电平‘H’并设置P3．3～P3．7引脚到正确的电平。可在P1口引脚输出数据。

(8) 在下一地址单元编程字节，使XTAL1跳变一次提升内部地址计数器。对P1口引脚加入新数据。

(9) 重复步骤5至8，对整个2K字节阵列改变数据并提升地址计数器或者一直到目标文件的结束。

(10) 下电次序：

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