对Flash存储器的编程

    5. 程序校验：如果加密位LB1和LB2没进行编程，则代码数据可通过校验数据线读回：

(1) 使RST从‘L’变到‘H’，复位内部地址计数器000H。

(2)  对读代码数据加入正确的控制信号并在P1口引脚读输出数据。

(3) 使XTAL1引脚跳变一次来提升内部地址计数器。

(4) 在P1 口引脚读下一个代码数据字节。

(5) 重复步骤(3)和(4)直到读完整个阵列。

加密位不可直接进行校验。加密位的校验可通过对存储器的校验和写入状态来得到。

6.片擦除：利用控制信号的正确组合并保持P3.2引脚10ms的低电平就可电擦除整个EEPROM阵列(2K字节)和两个加密位。代码阵列在片擦除操作中写入全“1”并必须在任何非空存储器字节可被再编程之前执行。

7. 读特征字节：除P3.5和P3.7必须被拉成逻辑低电平外，读特征字节的过程和单元000H，001H以及002H的正常校验过程相同。返回值如下：

    (000H)=1EH指示产品由ATMEL制造

    (001H)=21H指示89C2051单片机  

10.4.2 编程接口

    闪速阵列中的每一代码字节可进行写入并且整个阵列可用控制信号的正确组合进行擦除。写操作周期是自身定时的，一旦初始化它将自动定时到操作完成。

表10-4  闪速编程方式  

方式

RST

P3.2/PROG

P3.3

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