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STM32FSMC机制FlaSh存储器扩展

STM32FSMC机制FlaSh存储器扩展

点击数:7675 次   录入时间:03-04 11:50:11   整理:http://www.55dianzi.com   DSP/FPGA技术

  式中:Twc和Trc为所选存储芯片的写周期长度和读操作周期长度;Twp为所选存储芯片的写信号持续长度。根据S29GL512P用户手册,可知参数Twc=Trc=130 ns,Twp=35 ns。设STM32微控制器采用72 MHz主频,则HCLK=(1/72×10-6)s。通过上述公式计算,可取值为:DATAST=2,ADDSET=5。

  为了达到更好的控制效果,还应考虑FSMC自身延迟问题,使用校正公式:

公式

  式中:TAVQV为所选存储芯片访问过程中,从地址有效至数据有效的时间域;Tsu(Data_NE)为STM32特征参数,从数据有效到FSMC_NE(片选)失效时间域;Ttv(A_NE)为STM32特征参数,从FSMC_NE有效至地址有效的时间域。

  TAVQV=130 ns,Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns,对DATAST参数进行校正,可得DATAST=3。

  3.4 应用STM32固件对FSMC进行初始化配置

  ST公司为用户开发提供了完整、高效的工具和固件库,其中使用C语言编写的固件库提供了覆盖所有标准外设的函数,使用户无需使用汇编操作外设特性,从而提高了程序的可读性和易维护性。

  STM32固件库中提供的FSMC的NOR Flash控制器操作固件,主要包括2个数据结构和3个函数。数据结构FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef对应时间参数寄存器FSMC_BTR和FSMC_BWTR的结构定义;

  FSMC_NORSRAMinitTypeDef对应特征配置寄存器FSMC_BCR的结构定义,并包含2个指向对应BANK的FSMC_BTR和FSMC_BWTR寄存器的FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef结构指针。针对上述S29GL512P芯片扩展要求,利用固件库进行的主要初始化操作如下:

程序

程序

  结 语

  STM32作为新一代ARM Cortex-M3核处理器,其卓越的性能和功耗控制能够适用于广泛的应用领域;而其特殊的可变静态存储技术FSMC具有高度的灵活性,对于存储容量要求较高的嵌入式系统设计,能够在不增加外部分立器件的情况下,扩展多种不同类型和容量的存储芯片,降低了系统设计的复杂性,提高了系统的可靠性。



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