TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导(一)

摘　要：介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200B Flash存储器进行程序烧写，并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。 关键词：Am29LV200B Flash DSP 并行自举引导 自举表
 
Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例，介绍Am29LV200B Flash存储器的烧写方法，实现TMS320C5410（以下简称C5410）上电后用户程序的并行自举引导。
1 Am29LV200B Flash存储器

1.1 Flash存储器简介

　　Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器，其主要特点有：3 V单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持JEDEC单电源Flash存储器标准；只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200B Flash 映射为C5410的片外数据存储空间，地址为：0x8000~0xFFFF，数据总线16位，用于16位方式的并行引导装载。128K的FLASH ROM用32K地址分四页进行访问，上电加载程序时使用Flash ROM的第3页。

1.2 Flash存储器的操作命令

　　向Flash存储器的特定寄存器写入地址和数据命令，就可对Flash存储器编程，但要按一定的顺序操作，否则就会导致Flash存储器复位。由于编程指令不能使“0”写为“1”，只能使“1”变为“0”，而擦除命令可使“0”变为“1”，所以正确顺序是先擦除，后编程。下面就介绍几个常用的操作命令：编程命令、擦除命令、读数据命令、复位命令。

　　① 编程命令。该命令向Flash的指定地址中写入数据，需要四个总线周期，前两个是解锁周期，第三个是建立编程命令，最后一个周期完成向编程地址中写入编程数据，如表1所列。

由于向每个编程地址写入数据都需要四个周期，所以在循环写Flash时使用宏比较简单。Flash ROM的首地址为0x8000，故偏移地址0x555对应物理地址就为0x8555。编程程序如下：
_WRITECOMMAND .macro pa,pd 单一周期编程的写命
；令宏，pa是编程地址，pd是编程数据
PSHM AR1
STM pa,AR1 AR1指向编程地址
LD pd,A
STL A,*AR1 把编程数据放入AR1的编程地址中
RPT #12
NOP
POPM AR1
.endm
_WRITEFlash .macro par,pdr 编程宏,par是编程地址寄存
；器，pdr是存放编程数据的寄存器
_WRITECOMMAND #8555H,#0AAH  周期1（解锁）
_WRITECOMMAND #82AAH,#055H  周期2（解锁）
_WRITECOMMAND #8555H, #0A0H  周期3（建立）
LD pdr, A  周期4（编程）
STL A, par  把pdr寄存器中数据放入par
；寄存器的地址中
RPT #12
NOP
_JUDGE par, pdr 检测编程是否正确，见Flash
；的操作检测
.endm
_WRITECOMMAND是实现一个周期编程的写命令宏，而_WRITEFlash是完成对指定地址编程的四个完整周期。

本文关键字：FLASH  DSP/FPGA技术，单片机-工控设备 - DSP/FPGA技术