1．2 C620I／06701的引导工作方式
在加电后，C6201／C6701可采用直接从零地址(只能为外部存储器)开始执行程序的不引导方式工作；也可采用辅助DMA先自动从宿主机HPI端口或外部CEl空间(8／16／32位ROM)加载64K字节程序至零地址(片上存站器或外部存储器)，然后再从零地址开始执行程序的引导方式工作。C6201／C6701的这些工作方式由上电复位时5个引导方式管脚BOOTMODE[4：0]的信号电平决定，这些电平信号还决定地址映射方式是采用某种类型、速度的外部存储器为零地址的MAPO方式，还是采用片上程序存储器为零地址D6 MAPl方式。这种结构特点大大增加了系统设计的灵活性。在引导工作方式中，当零地址为片上程序存储器时，程序直接从高速256位宽的片上程宇存储器并行执行，能充分发挥DSP的高速性能；而其它工作方式中，程序是从外部慢速32位宽的存储器开始出行执行。因此，基于C6000的嵌入式系统一般采用引导三片上程序存储器执行的工作方式，如表1所示。
2 FLASH存储器MBM29LV800BA
2．1 MBM29LV800BA介绍
MBM29LV800BA是FUJITSU公司生产的1M×8／512K×l6位的FLASH存储器，其管脚信号如图2所示。／BYTE为×8或×16工作方式配置管脚(／BYTE接低时为×8方式，地址线为[A-1，A0，…A18]共20根，数据线为DQ[0：7]，数据线高8位不用；／BYTE接高时为×16方式，地址线为A[0：18]共19根，A-1，不用，数据线为DQ[0：15])；RY／*BY为表示FLASH就绪或忙的管脚(它是集电极开路引脚，多个RY／*BY管脚可通过上拉电阻直接"线与"连接)。
MBM29LV800BA具有许多特点，主要如下
单电源3．0V读、编程写入、擦除；
与JEDEC标准的命令集和引脚分布兼容；
增加了快速编程写人命令，写入仅需两个总线周期；
具有至少100 000次的编程写入／擦写寿命；
灵活的扇区结构支持整片内容擦除、任一扇区内容擦除、相连续的多扇区内容并行擦除；
具有嵌入式编程写入算法，可自动写入和验证写入地址的数据；
具有嵌入式擦除算法，可自动预编程和擦除整个芯片或任一扇区的内容；
具有数据查寻位和切换位，可以通过软件查寻方法检测编程写入／擦除操作的状态；
具有RY／*BY管脚，可以通过硬件方法检测编程写入／擦除操作的状态；
自动休眠功能，当地址保持稳定时，自动转入低功耗模式；
具有低电压禁止写入功能；
具有擦除暂停／擦除恢复功能，
