对用于集成电路设计实现和签核的电子设计自动化（EDA）工具而言，精确的库模型具有重要的意义。为确保90纳米及以下技术结点范围内的高精确度，库模型必须能够更为详细地提取单元中复杂的晶体管特征。
因此，基于电流的建模技术被引入并采用，而且成为了用于纳米级时序效应建模的一种有效方法。但是，由于设计人员希望能够在对自己的设计进行优化和签核时考虑时序、功耗和噪声的因素，单有精确的时序模型还不够。为了在纳米级集成电路中全面地处理这些相互依赖的因素，设计人员需要一种统一的基于电流的库模型，以便能对上述三个类别的设计进行同步的分析和优化。
与早期的非线性延迟建模(NLDM)技术相比，复合电流源(CCS)建模技术的另一优点在于高精度的电压和温度阶量。上一代的库模型是在离散的电压(V)或温度(T)值进行特征提取。采用K系数的线性阶量阶量是计算任何V或T中间值处的延迟或功耗的唯一方法。但是，延迟或功耗数值的线性阶量已经证明并不准确，所以很少使用。与此相反，由于CCS建模技术基于电流的特性，从而让EDA工具能够通过电压或温度的阶量来进行延迟、信号完整性或功耗分析。经领先半导体提供商的观察，这种阶量的精度极高，达到了HSPICE仿真的2%以内。正如其它所有建模技术一样，精确度取决于一系列的因素，包括特征提取方法以及CCS模型基于的样点。
通过在Sy n o p s y s 的Ga l -a x y?设计平台中使用A R M CCS技术支持的物理IP，设计人员能够利用新的电压阶量和IR压降延迟分析能力的优点，以此降
低设计余量及提高生产率。
介绍
A R M和S y n o psys作为长期的关键性战略合作伙伴，共同致力于对LibertyTM库建模功能的创新，并将其作为Ar tISAn 物理IP的一部分集成到ARM 的产品中。
足最新芯片技术的建模需求。C C S正是这一悠久成功历史中的一项最新创新。
在用于90纳米及以下芯片技术中的A R M物理IP中采用CC S建模技术正是A RM和S ynopsys的下一步技术合作的目标。在本文中，我们对Synopsys的下一代CC S建模解决方案进行了深入透视，这项解决方案包括了用于时序、噪声和功耗的开放源代码基于电流的库模型。此外，我们还将仔细研究在A RM物理IP中的CC S特征提取和运用情况。
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