(1)脉冲端子开路时的危害。IGBT器件往往是以功率模块的形式，安装于变频器机壳内部的铝质散热器上，控制信号经脉冲端子输入至IGBT的栅．射结，以图5-23所示的U相驱动电路与上、下桥臂IGBT (VT1，VT2)主电路为例，说明GX、EX脉冲端子开路时，对IGBT造成的危害。当VT1与驱动电路正常连接，而VT2的脉冲端子处于空置——未与驱动电路进行有效的连接——状态时，如贸然为变频器上电（从P、N端送入DC530V供电），并给出起动信号，会出现VTI、VT2同时导通，形成对DC530V电源的短路，VT1、VT2瞬时炸裂损坏。
图5-23 IGBT极间等效电容示意图
初学维修者，往往易犯这样的错误，炸过几次IGBT模块后，对变频器修复就有了一点“畏惧之心”。但如果明其中的原理，避免使IGBT陷入“危险之地”，则可避免贵重元件的损坏，成功修复的几率就大为上升，使维修者的信心得以提升。
(2)栅极电阻和旁路电阻的重要作用。
1)栅极电阻。由驱动电路来的驱动脉冲信号，经栅极电阻（图5-23中标记为RS）引入VT1的栅、射极，RS除对IGBT的开关速度产生影响、限制最大信号电流外，还有其他重要作用。IGBT的栅一射极之间存在Cge结电容和由脉冲信号引线形成的栅极回路的电感，两者在脉冲信号的作用下，易形成有害的LC振荡，串联Rs可有效抑制这种振荡，使IGBT工作的可靠性得以提高。Rs的取值与IGBT功率模块的电流值有关，模块电流在50～1000A，RS的电阻值为50～0.5Ω，随模块电流值的上升而减小。
2)旁路电阻。在VT1的G1、E1极之间，还并联一只旁路电阻（图5-23中标记为RP），有的资料中也称该电阻为保护电阻。RP并联于IGBT内部的Cge结电容两端，在异常状态能对Cge结电容的“微弱”充电电流起到旁路作用，避免引起IGBT的误开通，一定程度上起到对IGBT的保护作用。
如同双极性器件——三极管一样，三线IGBT元件也自然形成了内部三只等效电容，而IGBT内部的Cge却不是寄生性的，实在是工艺与结构所形成。Cce电容我们不要去管它，在异常情况下，Ccg和Cge两只电容的存在，有可能引起IGBT误导通。
图5-23所示为VT2的GX、EX脉冲端子开路时的情形。上电后，VT1和驱动电路呈正常连接状态，负的截止电压加到G、E极上，能将其维持在可靠的截止状态。变频器运行信号的莽撞投入，使VT1受正向激励脉冲电压驱动而开通， VT2的C2极马上跳变为+530V的直流高压，此跳变电压提供了Ccg、Cge两只电容的充电电流回路，在VT1开通期间，VT2也为此充电电流所驱动，而近于同时开通，两管的同时导通形成了对P、N端的+530V供电电源的短路，啪啦一声，两只管子都炸掉了！假如VT1的信号端子是空置的，而VT2与驱动电路是正常连接的，同样下管的导通，也会令VT1的C1、E1极间瞬间跳变为DC530V高电平，由此产生VT1内部Ccg、Cge两只电容的充电电流，VT2、VT1同时导通而损坏。
