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IBM突破7纳米制程瓶颈 或左右Power处理

IBM突破7纳米制程瓶颈 或左右Power处理

点击数:7184 次   录入时间:03-04 11:44:59   整理:http://www.55dianzi.com   电工文摘

 IBM与合作伙伴成功研制出7纳米的测试芯片,延续了摩尔定律,突破了半导体产业的瓶颈。对于IBM而言,7纳米制程技术的后续发展将会影响旗下Power系列处理器的规划蓝图。

  据The Platform网站报导,7纳米制程芯片背后结合了许多尚未经过量产测试的新技术,IBM与GlobalFoundries、三星电子(Samsung Electronics)等合作伙伴,对何时能实际以7纳米制程制作处理器与其他芯片并未提出时程表。

  IBM这次利用矽锗(silicon germanium)制造一部分的电晶体,因而能减少提升电路表现时进行快速切换的耗电量,而电路都是以极紫外线(Extreme UltraViolet;EUV)光刻技术蚀刻。

  IBM研究表示,目前最先进的技术能够制造10纳米芯片,但是利用矽锗制作电晶体通道和EUV光刻,能够缩小电晶体尺寸的一半,同时还能够提升50%的电路电力效率。然而,EUV对于震动特别敏感,制作过程非常精密,因此要量产将有难度,价格也会十分高昂。


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