存储单元是RAM的核心部分，RAM字中所含的位数是由具体的RAM器件决定的，可以是4位、8位、16位和32位等。每个字是按地址存取的。一般操作顺序是：先按地址选中要进行读或写操作的字，再对找到的字进行读或写操作。打一比方：存储器好比一座宿舍楼，地址对应着房间号，字对应着房间内住的人，位对应床位。
存储器按功能的不同可分为静态和动态两类，按所用元件的类型又可分为双极型和单极型两种。双极型存储单元速度快，单极型存储单元功耗低、容量大。在要求存取速度快的场合常用双极型RAM电路；在对速度要求不高的场合，常用单极型存储器。
下面主要以单极型存储器为例介绍RAM的工作原理。
(1)静态RAM存储单元
Tl和T2、T3和T4分别构成两个反相器，如图所示。两个反相器交叉耦合又构成了基本触发器，作为储存信号的单元，当Q=1时为“1”态，Q=0时为“0”态。T5和T6是门控管，其导通和截止均受行选择线控制。
当行选择线为高电平时，T5、T6导通，触发器输出端与位线接通；当行选择线为低电平时，T5、T6截止，存储单元和位线断开。
(2)动态RAM存储单元
一个MOS管和一个电容即可组成一个最简单的动态存储单元电路，如图所示。
写入时，送到数据线上的二进制信号经T存入C中；读出时，C的电平经数据线读出，读出的数据经放大后，再送到输出端。
由于C和数据线的分布电容CO相并，因此C要损失部分电荷。为保持原有信息不变，使放太后的数据同时回送到数据线上，对C应进行重写，称为刷新。对长时间无读／写操作的存储单元，C会缓慢放电，所以存储器必须定时对所有存储单元进行刷新，这是动态存储器的特点。
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