在利用Multisim2001自带的“元器件模型编辑器”编辑或创建新的电子元器件模型时（编辑或创建方法见本刊2003年第11期、2004年第2期），常遇到许多必须修改的模型参数和电气参数，这些参数常用一些简单的英文符号表示。弄清各符号所代表的参数的含义，对电子元器件模型的编辑或创建，对新创建的电子元器件模型的仿真结果起决定作用，这将决定着新创建的电子元器件模型仿真结果的正确与否。编辑或创建时，最好根据厂家提供的参数数据进行修改。
编辑或创建电子元器件仿真模型，主要从电子元器件的模型参数和电气参数两部分着手。下面就二极管类、双极型三极管类的模型参数和电气参数的含义进行介绍。
二极管类元器件的PSpICe格式介绍
一、格式
1．描述语句（描述模拟电路）DXXX<正节点><负节点><模型名><面积因子>+<直流分析时所加的初始条件><lC=瞬态分析时的初始条件>
举例.D174D1N3910
2．模型语句（设定电子元件特性参数）MODEL<模型名>D（<模型参数1=模型参数1值>+<模型参数2=模型参数2值>……）
二、二极管模型参数（见下表）
三、二极管电气参数
进入ComponentProperties（元件属性）对话框，点击EleCTRonICParameters（电子参数）页面按钮，见下图所示。在CommonParameters(普通参数）栏目区内的ThermalResistance（结——壳热阻）栏中，按1N4004的“50”参数修改；在DeratingKneePoint（元件折断点温度）栏中，按1N4004的“150。C”参数修改；在Min.Operating（最低工作温度）栏中，按1N4004的“-50。c”参数修改；在Max．Operating（最高工作温度）栏中，按1N4004的“175C”参数修改。
在DeviceSpecificParameters（特殊参数）栏目区内，各符号含义及参数如下.Vrrm.最大反向工作电压400V;lrrm:最大反向漏电电流50UA；VFM:最大正向导通压降1.1V；If：最大正向整流电流lOOOmA;trr:关断时间30ns：PACkage:封装型式DC-35。
双极型晶体管类元器件的PSpice格式介绍
一、格式
1．描述语句
其中NC．NB，NE，NS分别是集电极、基极、发射极和衬底的节点。未规定NS．可以认为衬底接地。AREA是面积因子，缺省值是1；OFF是直流分析时一种初始条件；IC=VBE，VCE是瞬态分析初始条件。
举例：Q47 3 7 2 QMOD IC=0.6
2.02．模型语句MODEL <模型名>NPN（或PNP）（<模型参数1=模型参数1值>+<模型参数2=模型参数2值>……）
三、三极管电气参数
进入ComponentProperties（元件属性）对话框，点击EleCTRonICParameters（电子参数）页面按钮，见图所示。在CommonParameters（普通参数）栏目区内的ThermalResistance（结—一壳热阻）栏中，按2N2222的“145.8”参数修改；ThermalResistanceCase（元件外壳的热电阻）栏中，按2N2222的“437.5”参数修改；在PowerDisSIPation（最大耗散功率）栏中，按“3W”参数修改；在DeratingKneePoint（元件折断点温度）栏中，按2N2222的“25C”参数修改；在Min．Operating（最低工作温度）栏中，按“-650C”参数修改；在Max．Operating（最高工作温度）栏中，按“200℃”参数修改。
在DeviceSpecificParameters（特殊参数）栏目区内，各符号含义及参数如下：Vceo:发射极接地，基极对地开路，集—射极的最大耐压．30V；Vcbo.基极接地，发射极对地开路，集一基极的最大反向电压，60V；lc.能连续通过集电极的直流电流．0.8A；hFE(min)：最小直流放大系数，35；hFE(ma)()：最大直流放大系数，300;Ft:最大工作频率，250MHz；Pd.最大耗散功率，3W；PACkage:封装型式．T0-18。
在实际编辑或创建电子元器件模型时，众多的参数来自电子元器件手册和元器件制作厂家。由于偏重点不同、测试的条件和标准不同，各手册和厂家的参数也不尽完全和相同。编辑或创建时，要尽量参考权威机构出版的手册，采用有代表性的标准的生产厂家的参数，力求所编辑或创建的电子元器件模型在仿真时与实际元器件相接近。
