增加充电限流电阻及放电二极管，保护MOS管的安全

　　由于MOS管在制造工艺上栅极S的引线的电流容量有一定的限度，所以Q1在饱和导通时VCC对MOS管栅极S的瞬时充电电流巨大，极易损坏MOS管的输入端，为了保护MOS管的安全，在具体的电路中必须采取措施限制瞬时充电的电流值，在栅极充电的电路中串接一只适当的充电限流电阻R，如下图a所示。充电限流电阻R阻值的选取，要根据MOS管的输入电容的大小，激励脉冲的频率及灌流电路的VCC（VCC一般为12V）的大小决定，一般在数十欧姆到一百欧姆之间。

　　由于充电限流电阻的增加，使在激励方波负半周时Q2导通放电的速度受到限制（充电时是VCC产生电流，放电时是栅极所充的电压VGS产生电流，VGS远远小于VCC，R的存在大大地降低了放电的速率），使MOS管的开关特性变坏，为了使R阻值在放电时不影响迅速放电的速率，在充电限流电阻R上并联一只形成放电通路的二极管D，下图b所示。此二极管在放电时导通，在充电时反偏截止。这样增加了充电限流电阻和放电二极管后，既保证了MOS管的安全，又保证了MOS管“开”与“关”的迅速动作。

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