图7是晶体管的正向击穿特性，图7中的VT·是器件的损伤点，其定义有以下三种设定：
（1） 器件的漏泄电流大于某一临界值即定为器件失效。但它忽略了硅熔融和氧化层的击穿；
（2）器件出现强烈电压崩溃的二次击穿时定为器件失效，但有时器件达到大电流范围也不出现二次击穿。
（3） 当器件的载流子碰撞电离Gi等于肖克莱—里德—霍尔（Shockley—Read—Hall）复合率，同时，总电流随电压反向增加时定为器件失效。
为了验证第（3）种假设，予测二次击穿管点，用0.35um特征尺寸的功率集成电路工艺设计了ESD防护用的标准高压NPN管，并将基极—发射极接地。
图8是NPN管测量的和用（2）假定来模拟的I-V特性。由图8可见，测量的损伤电流IT2=1.5A,而模拟值是1..8A，有较大误差。图9是用（3）假设外推的结果。其模拟值是1.52A，相当一致。
图10是1A电流应力下，模拟显示该器件有两个热点。一个在收集极触点下，损伤电流IT2=1.52A；另一个热点在发射极之下，用外推法算出的损伤电流远大于2A。所以，首先出现导致失效的硅熔融点应在收集极。图11是该器件失效照片。证明此结果。
本案例说明：（1）ESD防护器件的失效也是实际器件和电路失效的一种模式。（2）防护用的NPN管的损伤点可以用TCAD获得。
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