Rb1短路 Vbe约为1v Ved=V-Vbe
Rb2短路 Vbd=0v Vbe=0v Vcd=V+
Re开路 Vbd升高 Vce=0v Vbe=0v
Re短路 Vbd=0.7v Vbe=0.7v
Rc开路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved约为0v
c-e极短路 Vce=0v Vbe=0.7v Ved升高
b-e极开路 Vbe>1v Ved=0v Vcd=V+
b-e极短路 Vce约为V+ Vbe=0v Vcd约为0v
c-b极开路 Vce=V+ Vbe=0.7v Ved=0v
c-b极短路 Vcb=0v Vbe=0.7v Vcd=0v
八、场效应晶体管放大器
1、场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级，可以获得一般晶体管很难达到的性能。
2、场效应管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。如图1-1-1是两种型号的表示符号：
3、场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
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