与真空管放大器比较，固态放大器具有稳定性好、可靠性高、寿命长、能耗低、维护便利等优点。固态高功率放大器通常由输入单元、输出单元、功放模块、微处理器监控系统、电源组件和冷却系统等电路构成。功率放大器的主要部件“功放模块”则由多个LDMOS或VDMOS场效应管并联组成，该类场效应管采用横向或纵向扩散金属氧化半导体技术，属电压控制器件，热稳定性好，但热传导性差，击穿电压较低，因此输出功率受到一定的限制，使用中为了获得较大输出功率，通常采用功率合成技术，由多个功放管进行功率合成达到所需输出功率，其中个别功放管的损坏，输出功率会减少，但不影响放大器继续工作。
衡量一个高功率放大器的性能，主要有线性、非线性、增益、效率和可靠性等指标、、其中非线性指标变差将产生载波频率的谐波，导致信道内外出现互调干扰，引起信号畸变，因此，提高固态功放的线性指标尤为重要。固态功放中采用的晶体管通常有三种形式，即双极性晶体管、MOSVET场效应管和LDMOS场效应管。双极性晶体管技术相对成熟，但温度稳定性差，难以承受数字电视广播的高线性要求。MOSFET场效应管具有负温度系数特性，无须另加温补电路，但易引发载波寄生相位调制。为求得效率和线性的平衡，晶体管通常工作在AB类，其非线性失真是不可避免的。近年来，飞利浦等公司表l管脚与电极的对应关系相继开发出横向扩散金属氧化半导体硅场效应管(LDMOS)．经UHF电视发射机使用证实，其线性和效率优于双极性晶体管、MOSFET管，特别适合数字电视放大。即使工作在AB类，其性能仍接近A类放大特性，由于LDMOS场效应管的优异性能，使其成为UHF波段新型固态发射机的基础。VHF波段功放单元功放管一般采用VDMOS场效应管BLF278．UHF波段功放单元采用横向扩散金属氧化半导体硅场效应管(LD．MOS)BLF861A。
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