由于光耦电路可以用作一只可变电阻，或与一只固定电阻一起用作电位器。H11F3M光电FET有7.5kV的隔离电压，因此能够安全地控制高压电路参数。但这些器件的非线性传输特性可能成为问题(图1)。为了校正这种非线性，可以采用一种简单的反馈机制，使电位器产生一种线性响应(图2)，本电路使用了两只光电FET，一只作反馈，另一只则用于需要隔离电位器的应用。将两只光电FET的输入端串联，就可以保证输入LED有相同数量的电流。
FET输出端放50kΩ的电阻，以模拟电位器的响应。电路对设定输入电压(用电位器R7调节)和光电FET1的反馈之间的差值做放大。得到的输出控制光电FET LED中的电流，直到反馈电压等于输入电压时为止。输出电压以线性方式跟随输入电压(图3)。也许你会认为相同器件号的光电FET没什么区别，但实际上还是表现出了微小的制造差异。五只H11F3M器件的偏差在3%以内。
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