由图6可见，改进结构在写操作时没有大电流，而在读操作时会有部分尖峰电流，这主要是由于平衡预充位线抬高了位线初始电压，从而降低了预充PMOS管的导通电阻所致。
改进SRAM结构的动态功耗为4．6mW。若用传统SRAM结构，对于相同大小的电路，其仿真得到的动态功耗为5．96mW。因此，相比传统结构，改进型结构的动态功耗减小了22．8％。
5 结束语
本文对显示驱动芯片中内置SRAM电路进行了低功耗研究与设计。新方法采用位线划分和字线划分技术来设计SRAM整体结构，从而降低了寄生电容。事实上，结合低功耗位线技术对传统SRAM单元结构进行改进，写操作时停止对位线预充电，可以达到降低功耗目的。而引入仲裁算法可解决SRAM访问的时序问题。根据SRAM读写操作要求设计的时序产生电路的仿真结果显示，其动态功耗可以得到大幅降低。
目前，本电路已经应用在一款AM_OLED显示驱动芯片中，并已完成前期仿真。仿真结果可以达到预期指标要求，从而证明了该电路的可行
性。
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