由RC耦合型式组成的单端推挽输出级基本电路

　　和双极型晶体管相对应的是UHCMOS FET（以下简称功率型场效应管）的P沟道和N淘道两种不同的导电极性，可以组成对称的互补推挽电路，只要选用两类特性相近的互补对管即可组成o-CL或OTL推挽输出级，而无需倒相电路。
　　
　　针对以上功率场效应管的特点，由RC耦合型式组成的单端推挽输出级的基本电路见下图所示。首先MOS FET有较高的输入阻抗，同时栅极无驱动电流，因此给RC耦台驱动方式提供了可能。即使采用图示的偏置电路，输出级的输入阻抗也近似为偏压电阻R2、R1的并联值。由于栅极无电流，Rl、R2只是分压，本身取值也较大，自然给Re耦合提供了便利。结果使输出级直流电路完全独立，和前级无关。基本参考电路见下图。在此输出级中直流供电电压的选取和选用的MOS FET以及输出功率有关，原则和普通OCL放大器相．同，区别只是偏置电路。该偏置电路中，上偏置电阻R1、R2和共同的下偏置电路RV、R3给TR1、TR2提供的不是电流，而是栅极偏压，TR2的栅极偏压对源极为正，TR3的栅极偏压对源极为负，构成对称的偏压供给电路。从理论上讲，TR2、TR3栅极无电流，为了使栅极得到设定的偏压，Rl、R2、RV可以采用绝对值较大的电阻，但阻值过大涉及由栅极泄漏电流引起的稳定性变差，因此往往采用图示的折中值。当±VCC被视为内阻为零时，TR2、TR3输入阻抗为上下偏置电阻的并联值，为了避免此输入电阻过小而增加前级负载的分流，一般选择并联值为5kΩ—lOkΩ．此阻值也即为输出级的输入电阻。即使如此，MOS FET输出级实际输入阻抗远高于双极型晶体管SEPP电路。
　　
　　虽然功率型场效应管的沟道电流具有负温度系数特性，但是其漏一源极之间的反向漏电流却为正温度系数。因此其负温度系数特性仅是在输入信号幅度较大时可以使ID随芯片温度上升而产生热击穿有所抑制，但对D~S极间漏电流却因其温度系数为正值而无效。当芯片温度升高时反向漏电流会恶性循环而增大，致使D-S极造成热击穿。显然此种热击穿并非由于驱动信号使ID幅度过大所致，祸首在于漏电流。
　　
　　因此在此电路中必须使输出级两管有尽量小的反向漏电流，常见措施是对Vcc供电电压选择较低值，一般原则是±Vce绝对值在额定VDS值1/2以下。如果±Vce较高时，可以在输出管源极接入低阻值R6、R7，利用电流负反馈限制ID电流的恶性增大，但此法一则对输出功率影响较大，二则对音质也有影响。所以还是选择较低的供电电压同时加入TR1和RV、D组成的偏置温度补偿电路为妥。
　　
　　TR1、D和输出管TR2、TR3采用热耦合安装法，将TR1、D用铝皮固定到输出管散热器上，当输出级温度升高时，TR1、O电流增大，其端电压降低，将使输出级ID减小，防止热击穿。
　　
　　电路中R4、R5为改善频响而设，功率型MOS管，栅一源极电容FET功率增大而增大，如常见互补对管2SJ116/2SK298( 100w)输入电容为1050pF。如不加入R4、R5，由于前级驱动级的低输出阻抗，其初始充电电流极大，使驱动波形产生下陷失真，R4、R5也不宜过大，否则将导致驱动信号延迟，应通过FETCi慎重选择。
　　
　　由下图的输出级可组成最简单也是最基本的场效应管功放输出级。
　　
　　选择不同的静态工作偏压使其工作于A类或AB类放大状态，当采用稳压供电时，打开电源瞬间会有低于50mV的输出零点漂移电压，待几分钟后可达到低于10mV的程度。稳压供电加上述偏压稳定电路可满足零点漂移低于20mV的程度，必要时仍需加入扬声器保护电路。由功率型MOS FET特性可知，其理论上ID的截止点为最大ID值的1／10处，此时的栅一源极偏压VGS称为夹断电压VGS(OFF),如果B类输出，应将静态工作点选择在稍高于VGS（OFF）处以消除交越失真（实际工作状态处于AB类）。
　　
　　AB类放大的静态电流较小，因而在静态时总的漏一源极电流中漏电流所占比例较大，ID是正温度系数特性。当输入信号增大时致VDS控制有效电压升高时，沟道电流成正比增大，其负温度系数特性占有越来越大优势，反而使总ID电流有减小趋势，对输出管动态范围形成一定的压缩。为了补偿其负作用，应选择更大IDSS的输出管，同时应在使用中尽量减小管子安装中产生的热阻。无论正温度系数的漏电流还是负温度系数的沟道电流，其负面效应均源干管芯的温升，良好的散热条件是重要的，否则放大器难以稳定。
　　
　　根据大数法则得出的资料显示，所有功率型MOS FET有右图所示的温度特性。图中X轴为+VGS值，Y轴为+IDS（图示为增强型控制特性）。当VDS电压较低时（0以下位置），IDS也相应较小，此时曲线A（25aC时的IDS值）和日（芯片温度1500c时的IDS值）两点IDS之差为正值，表明此区段IDS温度系数为正。随末级输入信号增大至O点以后，IDS中沟道电流比例增大，B-A变成负值，成负温度系数。
　　
　　由此特点可知，当电路工作状态处Q点以下（如AB类静态），以防止漏电流的正温度系数形成热击穿为主导，进人0点以上大动态时反而可缓解漏电流的雪崩式击穿。

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