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三相正弦波逆变器大占空比与自举元件性能的影响

三相正弦波逆变器大占空比与自举元件性能的影响

点击数:7304 次   录入时间:03-04 11:57:28   整理:http://www.55dianzi.com   振荡器-波形-信号电路
1.大占空比的影响
  
  首先,如果选用自举式驱动电路,往往利用电容器作为“电源”。但是在大占空比变化状态下,可能出现电容器充电不够而放电过度的现象,最终导致驱动电路不能正常工作或驱动能力不足引起了烧毁的现象。
  
  2.自举电容器选择不当的影响
  
  自举电容器选择不当也会引起自举电容器电压不足。例如,选择铝电解电容器就是一个不恰当的选择,其原因是铝电解电容器的ESR相对很大,一个1μF铝电解电容器的ESR可能达到20Ω左右,在短时充电中会出现充电脉宽短于铝电解电容器的ESR与电容量时间常数的问题,产生充电不足现象。由于高ESR在驱动MOSFET时可能会出现接近1A的驱动电流,这时铝电解电容器的输出电压几乎为零!即使是200mA的驱动电流也会产生4V的电压降。
  
  从上述分析可以看到,自举电容器一定要选择ESR低的电容器,如陶瓷贴片电容器或薄膜电容器,电容量至少选择1μF。
  
  3.自举二极管选择不当的影响
  
  自举二极管选择不当会出现电容器充不上电的现象,原因是二极管的反向恢复过程会使自举电容器放电,甚至放电过度而导致自举电容器电压不足。
  
  二极管的反向恢复过程几乎相当于短路,即使不相当于短路也处于导通状态,当外界的自举电压突然降低为负值时,自举电容器就会在自举二极管反向恢复的过程中放电。
  
  普通用途的二极管,如1N4007的反向恢复时间可达数微秒,而超快速反向恢复二极管的反向恢复时间为数十纳秒,相差约100倍。因此,在电子设计竞赛中,二极管不能用错。
  
  在低压应用的电子设计竞赛中,自举二极管可以用MUR120(1A/200V)。


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