AN051简介
AN051A有开漏输出及CMOS输出结构，分别如上图及中图所示。它由电压比较器、基准电压源(Vref)、分压器电阻R1、R2、R3、反相器及产生滞后电压的N管(VTl)及输出级（开漏或CMOS输出级）组成。
这里以开漏输出结构为例说明其工作原理，其输出特性如下图所示。当VIN端输入一定的电压，使比较器同相端的电压大于反相端的基准电压，即VIN(R2+R3)1(R1+R2+R3)>Vref时，比较器输出高电平H，反相器输出低电平L．VT1、VT2都截止．Vcur输出高电平（上图中Rpu为外接的上拉电阻）。
Vout输出的高电平等于Vcc．见图4的B端右边的特性。
若VIN再次增大，一直要增大到VIN×R2/(R1+R2)>VIN时，才会使比较器输出由L变成H（A点的VIN要大于B点的VIN），最终使VOUT输出为H。这样，VOUT从H→L及从L→H的VIN值是不相同的，产生一个滞回电压VHYS（即VA-VB）。
这里把VCUT从H→L时的电压称之为检测电压Vcr，VCUT从L→H的电压为VCET+VHYS。可以总结出：VIN>VDET+VHYS时，VOT=H；VIN<VDET,VOUT=L.
CMOS输出的工作原理与开漏输出基本相同，其特性如下图所示。
特点与主要参数
该器件主要特点：检测电压精度可达±2.4%；工作电流1．OuA（典型值）；输入电压可达15V;检测电压已系列化（分挡极细）；滞回电压VHYS≈0.05VDET；工作温度范围-30℃～+80℃。
这里要指出的是，该器件内部的MOSFET不是功率MOSFET．输出是电平信号(其极限输出电流为50mA)。另外，输出电流与VDr大小有关，VDET小，则VGS小，不能输出大电流。例如，VDET=2.4V时，输出电流为3.7mA，VDET在3.6V以上时才可输出6~7mA。另外．CMOS输出结构中P管导通时，电流是由VIN提供的，这要看被测电压源的情况而定。
在使用中，上拉电阻一般取10kΩ～100kΩ：CMOS输出的输出端绝不允许接地，否则在P管导通时．VIN被短路，P管可能烧掉。
封装、图符与型号AN051A有T0-92、SOT-89及SOT-23-5三种封装，如下图所示。
AN051A分挡极细，现将可供货的品种列于附表。
在选购电压检测器时，要确定检测电压值fVDET）、输出结构及封装。它可用型号后缀来确定：1．CMOS输出为C．开漏输出为D;2．检测电压值（用两位或三位数表示）；3．封装代号（T0-92为T，SOT-89为S．SOT-23-5为R）。
例如，一个开漏输出、VDET=3.2V、SOT-89封装的AN051A器件，它的型号为：AN051AD32S；AN051AC215S是CMOS输出、VoET=2.15V，SOT-89封装的器件。
下图是电压检测器的输入端接在电位器RP的滑臂上。由于电压检测器的内阻不高，并且不同的批次时内阻也不同，因此可以根据要求的V'DET，调节电位器的位置使输出电平变化时取得要求的检测电压值，RP可取5kΩ～10kΩ。例如，要求V'cr=lOV，可取VoET=5V的电压检测器，在Vcc=12V时，电位器滑臂在最高位向下调，使Vour由高电平变为低电平时即可（若是开漏结构，则要加10k~100k上拉电阻）。
1、电压检测器的选择要满足下式：
VDET+VHYS+0.2V≤VLMH式中VHYS可按VHYS=0.05VDET计算；式中0,2V是为留一个安全电压区（AN051有±2.4%允差）。
例如，其电路的正常工作电压是5V．最大极限工作电压是6.5V。则可选择6V的电压检测器[VDET=（VLMH-0.2V）/1.05]。
2．P管的选择：
P管的-VDS要大于Vcc，在-VGS=Vcc时，其-ID要大于ILrex。
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