锂离子超级电容的过放电保护电路

　　保护电路自身消耗电流应越小越好，这里选用低电耗的芯片LT1540．其内部有基准电源和滞后比较器。电阻R4用于滞后调整．如图1取36kΩ时约86mV。设置滞后是为了保证MOSFET可靠动作。

　　保护电路的动作电压由下式计算：动作电压≈1.182x(l+Rl/Rz)当多个超级电容串联时，过放电保护采用多个比较器和或门电路组成，任一超级电容电压低至2.1V．MOSFET都将关断。电路如下图。

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