改进型的场效应晶体管TVS保护电路

　　通常引起场效应晶体管(MOSFET)失效的主要原因是漏极-源极之间的电压(UDS)过高。电感负载的通断可使得场效应晶体管的UDS超过击穿电压。为保护大功率场效应晶体管，必须采取保护措施。保护场效应晶体管的措施很多，采用TVS保护是将TVS并联于D-S极之间。接线时，切忌极性接错（见图所示）。

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