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由于当放电过电流保护时，放电FET晶体管VT2产生的负电压过充电与的大小有关，而与放电FET晶体管VT2的导通和关断驱动脉冲的上升、下降时间有关。故图4中用R3、C5、R4来控制的大小。
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的大小有关，而与放电FET晶体管VT2的导通和关断驱动脉冲的上升、下降时间有关。故图4中用R3、C5、R4来控制的大小。 
