IGBT工作于高反压、高频、大电流、大功率的恶劣条件下，容易击穿损坏。原因可能是自身质量不好，或经长期使用而老化，也可能是电路其他部分的故障引起IGBT电流骤然增大而损坏。
在更换IGBT之前应做如下检查：
1、检查IGBTG极激励电压是否正常，因若IGBT的激励不足将会使IGBT的功耗增加，温度上升。
2、检查共振电容是否开路或击穿，共振电容开路时，会使IGBT峰值电压异常上升，共振电容击穿时会使IGBT集电极电流急剧增大，这两种情况将使IGBT损坏。
3、检查控制电路输出的脉冲宽度是否正常。
4、检查电源插头是否接触不良，若220V交流电源接触不良，会造成电源时断时续，在断开的瞬间加热线圈中的电流很快消失，辅助电源滤波电容放电并不立即消失，因此功率控制电平比较器反而输出高电平使开关脉冲增宽。当220V马上接通时，将造成过大的输出功率而烧坏IGBT。
5、IGBT功率（热击穿）击穿，正常工作时，IGBT工作于丙类开关状态，饱和及截止功率均较小，当电磁炉有故障时，如IGBT的驱动脉冲宽度过大、G极因驱动级故障而保持在高电平上、电源电压波动较大或干扰脉冲叠加在电源峰值电压上等，功耗超出IGBT额定承受能力时，IGBT异常发热，恶性循环的结果最终造成功率（热击穿）击穿。
6、IGBT二次击穿，发生二次击穿时IGBT实际功耗并未超过PCM值，IGBT表面也并不发烫，却突然失效，产生二次击穿的原因是IGBT的制造工艺不完善或结构上有缺陷（如发射结面不平整、半导体材料电阻率不均匀等）使IGBT内部某些区域的电流密度特别大，电流集中在PN结中直径仅几十微米的极小范围内，使这个极小范围温度极高，成为熔融点，造成IGBTCE极短路，这就是二次击穿。
7、安装在散热片上的热开关外面矽胶套管刺破，散热片上高压加到控制电路中去，致使IGBT击穿。
8、IGBTG极悬空（G极及其驱动电路焊接不良，元器件有问题）时，或主回路有短路现象都会造成IGBT击穿。
9、静电产生的高电压使IGBT击穿（IGBT未安装到高压基板上之前，尤其是冬天天气干燥时用手直接触摸IGBT引脚）。
10、风扇驱动回路有故障时，影响IGBT驱动电路的电压，也可能引起IGBT损坏。
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