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实现电离子透入疗法的MCU智能注射装置

实现电离子透入疗法的MCU智能注射装置

点击数:7214 次   录入时间:03-04 11:51:14   整理:http://www.55dianzi.com   医疗美容仪器
2、从电路原理图可见设计的简洁性

 

在电路原理图(图2)中,Q1是主要开关晶体管。MOSFET Vds击穿和D1的击穿电压应大于电路的最大预期输出电压。当微控制器检测到输出电流低于预期大小时,它会快速地连续四次对MOSFET加脉冲以提高电压 输出。这四个脉冲将产生更大电流和加速负荷下的上升时间。或者,可用PWM驱动MOSFET,这样允许来自升压电路的更高输出。R6/C6为电流检测网 络。

 

由于PIC12F683体积小、成本低、配置有内部ADC、固定基准电压、集成比较器、PWM、硬件定时器和内部EEPROM,所以它被本设计选定为MCU。使用固定参考电压可省去调节器或外部参考电压,使该设计可做成一个8引脚器件以便进一步降低成本。

 

该设计还包含两个用于用户界面的LED,一个连接至复位部件的启动按钮。

 

测试结果

 

在测试过程中,捕捉到了如图3和4所示的波形。

 

 

 

实现智能电离子透入疗法的MCU智能注射装置

 

 

采用一个10K负载时的启动波形。

 

 

 

实现智能电离子透入疗法的MCU智能注射装置

 

采用一个20k负荷时的启动波形。

 

用一个1μF的陶瓷电容器作为输出电容,电压纹波如图5所示。

 

 

实现智能电离子透入疗法的MCU智能注射装置

 

 

采用一个20K负载时的调整输出波形。



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