判别三极管好坏窍门

1．用模拟万用表检测
　　
　　（1）挡位：用Rx1kΩ挡，需n调零。
　　
　　(2)方法：对于硅三极管，检测两个PN结的正向导通电阻应在5kΩ左右 ，反向电阻应为∞，另外，正反向检测发射极。与集电极C之间的电阻也应该为∞：对于锗三极管，检测两个PN结的正向导通电阻应在500Ω左右，反向电阻应为几十kΩ左右。符合以上条件的三极管是好的，否则就是不好的。
　　
　　(3)原理：正向电阻500Ω左右或5kΩ左右，说明PN结正向导通：反向电阻为几十kΩ或∞，说明PN结反向截止，正符合二极管的基本特征，所以说该三极管是好的。为什么硅管的反向电阻为*，锗管的反向电阻为几十kΩ左右呢？那是因为锗管的穿透电流ICEO比硅管大一到两个数量级，测反向电阻的时候，因为有穿透电流ICEO，所以指针有所偏转，显示出几十kΩ的阻值。
　　
　　2．用数字万用表检测
　　
　　(1)挡位：无论三极管的功率大小，都用“-＞I-”挡。
　　
　　(2)方法：对于硅三极管，检测两个PN结的正向导通压降应在0.48V—0.7V范围内，检测两个PN结的反向，显示“1”(溢出)，另外，正反向检测发射极e与集电极c，也显示“I”；对于锗三极管(PNP)，检测两个PN结的正向导通压降应在0.1 -0.3V范围内，检测两个PN结的反向，显示“1”，红表笔接触发射极e，黑表笔接触集电极c显示三到四位数字(mV)，反之，显示“1”。符合以上条件的三极管是好的，否则就是不好的。
　　
　　(3)原理：同模拟万用表。
　　
　　顺便说一句，以上方法对检测硅、锗二极管及整流桥也适用。

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