MOS管的测试方法

　　在测量晶体三极管或二极管时，一般是采用普通的万用表来判断其好坏，虽然对所判断的三极管或二极管的电气参数无法确认，但是只要方法正确对于确认晶体三极管的“好”与“坏”还是没有问题的。同样MOS管也可以用万用表来判断其“妤”与“坏”，从一般的维修来说，也可以满足需求了。测试必须采用指针式万用表（数字表是不适宜测量半导体器件的）。对于功率型MOSFET开关管都属N沟道增强型，各生产厂的产品也几乎都采用相同的TO-22（）F封装形式（指用于开关电源中功率为50W~2OOW的场效应开关管），其三个电极排列也一致，即将三只引脚向下，打印型号面向自己，左侧引脚为栅极，右测引脚为源极，中间引脚为漏极，如右图所示。

　　（1）万用表及相关的准备
　　
　　
　　首先应会使用万用表，特别是欧姆挡的应用，要了解欧姆挡才会正确应用欧姆挡来测量晶体三极管及MOS管。

　　对于半导体器件的测量，所用万用表的欧姆挡的欧姆中心刻度不能太大，最好小于12Ω（500型表为12Ω），这样在Rx1挡可以有较大的电流，对于PN结的正向特性判断比较准确。万用表Rx1Ok挡内部的电池最好大于9V，这样在测量PN结反相漏电流时比较准确，否则漏电也测不出来。

　　现在由于生产工艺的进步，出厂的筛选、检测都很严格，我们一般只判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了，方法极为简单：用万用表Rx1Ok挡，Rx1Ok挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V，这个电压一般判断PN结点反向漏电是够了，万用表的红表笔是负电位（接内部电池的负极），万用表的黑表笔是正电位（接内部电池的正极），如上图所示。

　　（2）测试步骤
　　
　　把红表笔接到MOS管的源极S，把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如图中所示。如果有阻值指示，说明被测管有漏电现象，此管不能用。
　　
　　保持上述状态，此时用一只100kΩ~200kΩ电阻连接于栅极和源极，如图中上图所示，这时表针指示阻值应该越小越好，一般能指示到OΩ，这时是正电荷通过1OOkΩ电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，所以万用表指针偏转，偏转的角度大（阻值指示指数小），证明放电性能好。
　　
　　此时在中上图的状态，再把连接的电阻移开，这时万用表的指针仍然应该是MOS管导通的指数不变。如中下图所示。虽然移开电阻，但是因为电阻对栅极所充的电荷并没有消失，栅极电场继续维持，内部导电沟道仍然保持，这就是绝缘栅型MOS管的特点。如果移开电阻表针会慢慢逐步的退回到高阻甚至退回到无穷大，这时应考虑该被测管栅极漏电。
　　
　　这时用一根导线，连接被测管的栅极和源极，万用表的指针立即返回到无穷大，如下图所示。导线的连接使被测MOS管，栅极电荷释放，内部电场消失，导电沟道也消失，所以漏极和源极之间电阻又变成无穷大。

　　以上的测量是针对N沟道MOS管的测量方法，如果是P沟逍的MOS管只需把万用表的红、黑表笔调换一下，其他一样。以上的测试足以证明一只开关MOS管的好坏，如要进一步确认MOS管的各项参数，须借助专门的仪器。

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