VMOS场效应管的检测方法

　　3）测量漏-源通态电阻RDS（on）：

　　将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

　　由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如：用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

　　4）检查跨导：

　　将万用表置于R×1K（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

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