功率型MOS FET电路参数的选择

　　将50w/8Ω代入式中，得Ec‘=50x64，则Ec=56.57V。
　　
　　选取Ec电压>56.75V的目的是，使Ec/2在正负两半周期内，在8Ω的负载上产生足够的电流，输出50w的功率。考虑到MOSFET导电沟道的必须压降，以及源极限流电阻（如果电路中有R6、R7的时候）的电压降，同时顾及电源部分的设计方便，可取Ec=70V，即±35V供电。Ec设定后，确定MOSFET的VDSS>70V。
　　
　　其次，求出50w/80时的输出电流值。
　　
　　该50w的输出功率为输出电压有效值和输出电流有效值的乘积[见式（2）]。加于负载端输出电压的峰值为Ec/2=35V，除以2的方根值，则有效电压值为24.75V。在达到50w输出功率时，电流有效值为IDrms=P/U=50/24.75V≈2Arms，漏极电流的峰值IDP-P为2x1.414=286A，此峰值电流作为选择MOSFET管IDMAx的依据。甫上节所述，IDmax=31DP-P[实际应用时可选择IDmax=(2~3)IDP-P]，此处按3倍选用，故MOSFET的IDmax应不小于8.58A。
　　
　　根据VDSS>70V，IDmax>8.58A．选择表中对管2SJ112/2SK398，VDSS=100v，IDmax=10A．即可满足要求。
　　
　　附录2中的VGS（CFF）值可作为选取8类工作点的参考，当VGS(off)=2V~5V时，ID接近关闭，只有1mA。为了避免交越失真，可选择输出级静态电流10=200mA的状态，以此作为图4-10中RV的调整依据。
　　
　　此对管的VGSS为±20V，就是说加到栅一源极的信号电压峰值在20V以内ID则可达到IDss值，此点是由器件的gm值来保证的。由此可知，欲达到50W/8Ω的功率输出，前级电压放大器的增益总值为150倍，即可使输人灵敏度达到130mV。
　　
　　如将上述放大器用于A类状态，输出级的静态电流可调0.8A，输出管的功耗增大，为了不超出极限值Pmax=100W，应限制输入信号幅度，使输出功率不超过20W为限。

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