（2）伏安特性
由图可见，在低反压下电流随光电压变化非常敏感。这是由于反向偏压增加使耗尽层加宽、结电场增强，它对于结区光的吸收率及光生裁流子的收集效率影响很大。当反向偏压进一步增加时，光生载流子的收集已达极限，光电流就趋于饱和。这时，光电流与外加反向偏压几乎无关，而仅取决于入射光功率。
光电二极管在较小负载电阻下，入射光功率与光电流之间呈现较好的线性关系。图示出了在一定的负偏压下，光电二极管光电流输出特性。
（3）频率响应特性
光电二极管的频率特性响应主要由三个因素决定：
(a)光生载流子在耗尽层附近的扩散时间；
(b)光生载流子在耗尽层内的漂移时间；
(c)与负载电阻RL并联的结电容Ci所决定的电路时间常数。
频率特性优于光电导探测器,适宜于快速变化的光信号探测。
