2SA2151/2SC6011：三垦大功率音响对管

　　硅晶片，上电路层的有效厚度一般为几十微米，另外为了保证其功能，需要有一定的支撑厚度，所以，占总厚90%左右的晶片基板是为保证在芯片制造、测试、运送过程中有足够的强度，在电路层制作完成后，对其进行背面削薄，晶片的背面削薄对封装制造过程中的工艺要求极高，一般采用超精密磨削、研磨、抛光等工艺来完成。晶片的厚度越薄，元件导通电阻将越低，信号延迟时间越短，从而实现更高的性能，在音频领域的应用中，进一步提高了音质。另外，晶片越薄，其柔韧性越好，受外力冲击引起的应力也越小。减薄后的芯片可提高热发散效率、机械性能、电气性能、减小芯片封装体积，同时减轻划片加工量并提高成品率。

　　同时，由于采用了“削薄晶片厚度”工艺，2SA2151/2SC6011以TO-3P的封装获得了与TO-3PL封装同样的大功率输出，最大功率达到160W。其外形封装尺寸见下图。

　　2SA2151/2SC6011的特性频率为20MHz，直流放大倍数分为3档，用英文字母表示，0为50-100，P为70-140，Y为 90-180。该功率对管的极限参数见附表。从表中可以看出，根据特性参数的不同，对管分为两个档次，分别是普通档和带有字母后缀的“A”档，即2SA2151/2SC6001，“A”档产品的耐压更高一些，可达230V。

　　极限参数

符号 参数值 单位 2SA2151 2SA2151A 2SC6001 2SC6011A Vcbo -200 -230 200 230 V Vceo -200 -230 200 230 V Vebo -6 6 V IC -15 15 A Ib -4 4 A Pc 160(Tc=25℃) 160(Tc=25℃) W Tj 150 150 ℃ Tstg -55～+150 -55～+150 ℃

　　下图为2SA2151/2SC6001与其它同类功率对管产品的特性比较图，供参考。

 

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