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集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046

集成MOSFET驱动器的全桥移相控制器-LM5046

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    (15)预偏置起动
    对功率变换器共同的需要是有一个单调的输出电压起动上升,进入预偏置负载,即预充电给输出电容,在预偏置负载条件下,如果同步整流器遭遇不成熟期,它将会从预充电的输出电容漏入电流。结果导致不希望有的输出电压下沉。这是不希望出现的,而且可能损坏功率变换器。LM5046使用独有的控制电路确保同步整流器的智能导通,输出电压单一方向上升,起动时,SSSR电容保持地电平,禁止同步整流的MOSFET,只允许其体二极管工作,一旦占空比开始由COMP控制替代软起动电容。亦即ICOMP<800μA及SS端电压>2V,同步整流器的软起动将起始。SSSR电容然后释放,由20μA电流源充电,进一步见图6。在SSSR端一个1V的偏置用来提供附加的延迟,这个延迟可以确保输出电压稳定,在同步整流MOSFET工作时防止任何反偏电流。 (未完待续)

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* UVLO和OVP的分压器选择
    IC内两个比较器接于UVLO和OVP端用来检测欠压、过压条件。两个比较器的阈值设为1.25V,两个功能用两个外部电阻分压器调节。分压器都有接在VIN到AGND之间,如图12,图13,或都用三个电阻分压器如图14.独立的UVLO和OVP端提供有较大柔性的选择范围,当UVLO端电压低于0.4V时,控制器进入低电流关断,对于UVLO端电压大于0.4V但低于1.25V时,控制器处于待机模式,当UVLO端电压大于1.25V时,控制器全部使能,两个外部电阻用来调整最小工作电压如图13,当UVLO端电压降到1.25V以下时,内部20μA电流漏使能,将UVLO端电压进一步降低,电阻R1和R2计算如下
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    此处,VPWR为所要的开启电压VHYS为所要的UVLO在VPWR下的窗口,例如,如果LM5046在VPWR达到33V使能,在VPWR减到31V时关断,R1将是100kΩ,R2为4.2kΩ,UVLO端电压任何时候都不会超过7V。

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    两个外部电阻能用来调节最大工作电压如图12,当OVP端电压升到1.25V以上时,内部20μA电流源使能升高OVP端电压,于是提供了一个保护窗口,电阻值R1和R2计算如下
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    如果LM5046在VPWR-OFF达到80V时被禁止工作,而在78V时使能,则R1=100kΩ,R2为1.5kΩ,OVP端电压任何时候不得超过7V。
    UVLO和OVP也可以用三支电阻一起设置如图14。R1的计算基于UVLO分压器,用相同的值,UVLO及OVP设置点R1和R3仍旧为100kΩ和1.5kΩ,R2为2.7kΩ时R3为4.2kΩ。



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* 电流检测
    CS端接收变压器的初级侧电流信号,它可以由电流互感器送来也可以从检测电阻送来,如图16,图17所示。在两种情况下,滤波元件RF和CF要位于IC附近,接地点靠近PGND端,电流检测比较器必须提供710mV的信号在CS端做为过载电平,一旦CS端电压超过此值电流检测比较器终止PWM脉冲,并开始给RES端充电,LM5046将进入打呃模式或连续限流模式。

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* 打呃限流工作模式和重新起动
    打呃限流工作模式在功能描述部分已叙述,在此限流模式RES端由30μA电流源充电,重新起动延迟时间需要达到1.0V阈值,由下式给出
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    如果CRES=0.01μF,TCS将为334μS,一旦RES达到1.0V,30μA电流源关断,10μA电流源在其上斜到4V时开启,然后5μA在下斜到2V时开启,打呃模式的关断时间为
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    当CRES=0.01μF打呃时间为49mS,一旦此段完成,RES端拉低SS端释放,允许重新软起动。一旦SS端升到1V,则PWM脉冲开始工作,打呃模式提供给功率变换器在过载时一段冷却时间,减少了输入电流。(



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