针对这些照明应用 ，除了当今众多商业化的LED产品之外，还有Philips Lumileds所设计的一种氮化铟镓/氮化镓（InGaN/GaN）覆晶芯片，这就是我们公司Luxeon产品的特点。我们已经成功地将InGaN/GaN覆晶与薄膜架构整合在一起以创造一种更高效能的薄膜覆晶（Thin-film flip-Chip，T FFC ） LED （请参考图一a）。
这个组件结合了两种方法的制造优点，其使用一个覆晶LED芯片制造而成。此芯片在同侧具有阳极及阴极，并使用金互连技术将其焊接在一个次载具（submount）或封装之上（请参考图一b）。先利用一准分子 激光器 移除蓝宝石基材，接着以GaN顶层之光电化学蚀刻，利用 紫外灯 和稀释的氢氧化钾溶液粗化芯片的表面。在高反射率磊晶层中，这样的纹理架构破坏了波导，增大了光输出并且显著增强了LED的外部量子效率。
薄膜覆晶LED架构创作出极好的组件特性。接下来我们所展示的就是个例子，其输出功率高于垂直入射型薄膜（VertICally Injected Thin-film，VTF）芯片（请参考图一c）。远在十几年前就有人提出这种设计，只是最近才被几家芯片制造商采用。
垂直架构的问题
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