IN:电源输入引脚,应与公共电源进行硬线连接,并应使用1 μF或更大的低ESR陶瓷电容与GND相连,以进行电源滤波;
GND:接地端;
RES:预留输入端,不用时可与GND相连;
Ilim:限流输出端,采用电池为外设供电时,NCP370内部会生成一个带隙电压基准,并以该基准来进行限流,然后通过内部N-MOSFET来达到限流的目的。若在该引脚连接一个容差为1%的电容,则其过流门限的精度最高;
REV:反向充电控制输入端,需与DIR引脚配合使用。当电池接OUT端时,NCP370内部的N沟道MOS管开启,器件进入反向模式,此时,器件内部的过流保护电路工作。而当NCP370的反向模式失效时,进入OUT端的电流将大幅降低,以避免电池放电。
DIR:正向模式输入端,需与REV结合起来使用。当墙上适配器AC-DC连接到IN端时,NCP370内部的N沟道MOS管开启,电路进入正向模式。而当该端和REV均为高时,NCP370进入关断模式,此时,输出将与输入断开。但DIR端的状态不会影响到FLAG的故障检测。
FLAG,故障指示输出端,NCP370也允许通过外部电路来判断故障。当出现输入电压高于OVLO阀值或低于UVLO阀值、电池到外设的充电电流超过门限、或内部温度高于关断电流门限值时,该端置低。由于FLAG端为开漏输出,故应在该端口与Vbat之间加一上拉电阻(最小10 kΩ)。
OUT:电压输出端,当检测到“无输入故障”时,该引脚会随IN端输出。而当输入电压低于欠压阀值、或高于过压阀值、或有热关断发生时,该输出端会与Vin断开。一般情况下,在反向模式,NCP370将通过OUT端来供电。
NC:悬空端;
PAD1:该引脚通常用于给内部MOSFET散热,使用时应将它焊接到独立的PCB区域,且不能有任何潜在的接触。
2.1 欠压锁定电路(UVLO)
NCP370M芯片内部集成有欠压锁定电路,该电路可以确保在任何条件下使AC/DC (或墙上充电适配器)正常开启。在Vin正向上升期间,如果电压低于UVLO阀值,NCP370的输出与输入为断开状态,且FLAG输出置低。应当注意的是:该欠压锁定电路具有60 mV的滞后,可用以提高瞬变干扰。当NCP370工作在反向模式时(REV<=0.55 V,DIR>=1.2 V),其内部的UVLO和OVLO比较器均不工作。
2.2 过压锁定电路
NCP370内部的过压锁定电路,可用以防止Vout端系统的过压损坏。一旦NCP370的输入电压高于OVLO阀值,其输出就会失效,且FLAG会输出低电平。该过压锁定电路也有80 mV的滞后,可提高电压瞬变时的抗扰性。另外,NCP370的OVLO阀值还可以手工设置。
2.3 系统电压锁定
当DIR为低,同时REF也为低时,通过墙上适配器(输入)可为系统(输出)供电,此时,NCP370内部的第二个过压比较器将起作用,但此时其RDS(on)会高些,电流接近10mA。事实上,在测试产品期间(25℃条件下),其输入电压可以高些(OVLO的典型值为8.27 V)。
2.4 故障报警输出
NCP370内含一个FLAG报警提示引脚。一旦NCP370检测到输入电压高于OVLO阀值、低于U-VLO阀值或过流、过压等故障,FLAG端就会置低,并通知微控制器采取适当的措施。而当输入电压恢复到正常范围时,FIAG又会在经过一个延迟后置高,随后使Vout恢复输出,其工作时序如图3所示。
由于FLAG是开漏输出,因此,在电源端必须接一个上拉电阻(最小10 kΩ)。当NCP370的温度过高时,其FLAG会置低,并将输出与输入断开。通过FLAG引脚可以随时反映Vin状态,即使在设备关闭(DIR=0)情况下,也不例外。这样,在反向模式下,微控制器也可以根据其FLAG引脚的状态变化来正确处理过压、过流及热关断等故障。
2.5 DIR输入
将NCP370的DIR端强制拉低,并将DEV端拉高,NCP370即可进入正向充电状态。而将DIR端置高时,OUT端会与IN端断开,具体的充电状态设置如表1所列。另外,DIR也会受到OVLO或U-VLO故障的影响(FLAG有效)。
3 典型应用
NCP370具有保护电压下降的功能,通过该功能可使电路免受IN端反向电压的影响。当出现反向电压时,NCP370的输出将与输入端断开。
图4所示是NCP370的典型应用电路。
将NCP370的DIR端强制置高(>1.2 V),且将DEV端置低(<0.55 V),NCP370便可进入反向供电状态,此时系统内的电源可以向置于底部连接器的外设供电。而NCP370则由电池来供电,范围为2.5~5.5 V,而且此时的OCP和热关断模式同样起作用。
当外设电阻Rlim上的电流(Ilim)高于Iocp时,流过其内部N沟道MOS管的电流就会受到限制,这样,NCP370就能提供从电池到外设的反向过流保护功能。由于NCP370的内部电阻与Ilim是串联关系,因此,当Ilim引脚直接与GND相连时,其OCP最大,而在它们之间接入Rlim时,其OCP会减小,OCP的取值大小如表2所列。当电流高于OCP时,其内部的NMOS会关断,且/FIAG会置低,同时NCP370会通知微控制器来对故障进行处理,并禁止反向充电模式。
通过NCP370内部的热关断保护电路,可在温度过高时关断内部MOSFET,从而及时为器件降温。NCP370所允许的最高热关断值为150℃,超过这个温度,FLAG就会置低,并通知MCU。但是,由于NCP370芯片还具有30℃的热滞,因此,只有在温度低于120℃时,其芯片内部的MOSFET才能开启;而在高于120℃时,NCP370会一直处于热关断状态。此后,故障消除,芯片即可恢复正常工作。 NCP370在OUT端内部集成有2个低RDS(on)的N沟道MOS管,可用以实现对OUT端外系统在过压、负向电压及反向电流下的保护。通常,N沟道MOS管的这种RDS(on)特性会在OUT端引入少量损耗。
本文关键字:暂无联系方式元器件特点及应用,元器件介绍 - 元器件特点及应用