MOSFET的开关性能优于双极型晶体管，因此在功率电子开关的应用场合几乎都由功率MOSFET来担任。例如，开关电源、逆变器、变频器、负载开关、直流固态继电器中的开关器件几乎都采用了功率MOSFET。近年来，随着科学技术及半导体工艺技术的发展，功率MOSFET也不断地改进，提高了性能。其主要表现在两个方面：一方面是其导通电阻RDS(on)不断地下降，由过去的几百mΩ下降到几十mΩ，目前已可做出导通电阻仅mΩ的新产品来，使功率MOSFET的功率损耗不断地减小，提高了效率，并简化了散热装置。有的功率MOSFET甚至于可不用散热器。另一方面是增加了功率MOSFET的保护功能，增加了栅一源箝位保护、漏一源箝位保护及短路限流保护。这样，在开、关机瞬态过程中或负载瞬态接通或断开时，使功率MOSFET受到瞬态的过压、过流冲击而不损坏，并且在发生短路事故时，保护功率MOSFET不烧毁。
具有这种较完善保护功能的功率MOSFET称之为智能功率MOSFET。
当漏极电流ID在额定电流范围时，部分漏极电流从电流检测极流经R2时所产生的压降不足使三极管Q导通所要求Vbe电压(<0．6V)，则Q截止；当漏极电流ID超过额定电流(或负载发生短路)时，R2上产生的压降大于0.7V，则Q导通，栅极G的电压经R1、三极管Q的C、E极流入源极S。Q的导通降低了功率MOSFET的VGS，同时降低了漏极电流lDoID超过额定电流值越大，即R2上的压降也越大，R1上的压降也越大，则VGs越小，使限制了IDO这就是限流的工作原理。
该限流结构的限流大小与结温有关(见图2)，而结温的高低与MOSFET的散热条件有关。限制的漏极电流I D(lim）=13A(但实际工作时，结温应小于125℃)。
该MOSFET最适合于工作电压为12V，环境较条件差的场合，如汽车电子装置(用5V单片机的I/O口直接驱动)。它也适用于工作电压高，负载电流小的场合。
本文关键字：智能 元器件特点及应用，元器件介绍 - 元器件特点及应用
