RET：注：在sysclk=20MHz时，这种方式将产生100ns
；宽的写脉冲。该SRAM所要求的最小值为7ns
同样，完成写1个字节到外部SRAM的操作共需19字节、23个周期，需要1.15μs（包括执行RET指令的0.25μs）。在不增加I/O口的情况下，比现有文献给出的接口电路速度提高了50%。
应用指出的是，上述程序是读或写1个字节所需的时间。如果是读或写1个数据块，则平均读或写1个字节所需的时间将缩短到0.8μs（读）或0.9μs（写），比标准51执行1条MOVX指令所需的时间（20MHz时钟时为1.2μs）快30%～50%。
类似地，也可以用八D锁存器锁存低8位地址。
结束语
本文介绍了2种提高C8051访问外部SRAM速度的接口电路和相应的程序。第一种方法能够大幅度提高C8051访问外部SRAM的速度，使读或写1个字节的时间缩短到0.95μs（包括执行RET指令的0.25μs时间），但这种方法要多使用1个8位的I/O口。第二种方法既提高C8051访问外部SRAM的速度，使读或写1个字节的时间由1.7μs缩短到1.15μs，同时，还不多占用I/O口线。
利用本文介绍的方法，可以显著地提高单片机C8051的系统性能。该方法不仅仅用于扩展外部RAM，也可用于扩展单片机的其它并行接口上。
本文关键字：接口 综合-其它，单片机-工控设备 - 综合-其它
