浅谈绝缘栅双极晶体管得原理

IGBT是一种VDMOS与双极晶体管的组合器件，集MOSFET和GTR的优点于一体，即具有功率MOSFET高输入阻抗、高速、热稳定性好、驱动功率小的特点，又具有GTR通态电压低、导电损耗小而耐压高的优点，能很好地满足要求。

　　采用绝缘栅双极晶体管（IGBT）设计电力电子开关可满足及时开通、及时关断，消除延时，三相分合闸同时，运行时无噪声，是理想的开关元器件，并为高质量地开展系统暂态稳定试验提供了前提。基于此，研制一套用IGBT动态开关实现的断路和短路装置ABFSD（Advanced Breaking Fault Simulation Device）。

　　绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关是以IGBT为核心实现的电力电子开关。由于IGBT是电压驱动器件，故其基本工作原理是当栅极加上正控电压时，阳极电流导通；当栅极加上零电压时，阳极电流断开。

　　从理上讲，开关可分用串联和并联两种方式来实现。由于IGBT内部存在电容，在实际关断实验时，发现串联形式开关无法截止交流电流；而并联形式开关采用分别串联同向二极管则可。故开关形式选择为IGBT串同向二极管会反并联，又因断路器分合的是大电感负载，为防止浪涌电压过高，在开关两侧并入电阻电容吸收回路。

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