（9） 此时间段内，二极管D仍然导通，Lmr两端电压被箝位在
V1=Vin－V2=Vin＋
Vo（10）
Lmr上电流线性上升。而S2的漏源电压被箝位在最大电压
Vds2max=
＋
Vo（11）
7）阶段7〔t6～t7〕 t6时刻，S1的门极变为高电平，S1零电压开通。流过寄生二极管的电流流经S1。由于Lmr两端承受的电压V1此时较大，iLmr快速上升，到t7时刻，iLmr=iLm，主变压器耦合到副边的电流为零，二极管D自然关断。此时间段
=
（12）
由于Lmr<<Lm，式（12）可近似为
=
（13）
接着Lmr与Lm串联承受输入电压，开始下一个周期。可以看到，在这种方案下，两个开关S1和S2零电压开通，二极管D零电流关断。
2 软开关的参数设计
假定电路工作在CCM状态。由于S2的软开关实现是iLmrmax对Cr1及Cr2充放电，而S1的软开关实现是iLmrmin对Cr1及Cr2充放电，在电路满载情况下，|iLmrmax|>>|iLmrmin|，而且S2的充电电压要大于放电电压（见图2波形vds2），因此，S1的软开关实现要比S2难得多。在参数设计中，关键是要考虑S1的软开关条件。
2.1 主变压器激磁电感Lm的设定
由于Lmr的存在，变换器的有效占空比Deff（根据激磁电感Lm的充放电时间定义，见图2）要小于S1的占空比D，但是，由于t4～t7时间内iLmr的上升速度非常快，所以，可近似认为Deff=D。这样，根据Flyback电路工作在CCM的条件
Lm>=
（14）
式中：η为变换器效率；
fs为开关频率；
为变换器输出功率。
在实际设计中，为了保证电路在轻载时也能工作在电流连续模式，取定
Lm=
（15）
2.2 主副变压器原副边匝数比设定
根据Lmr<<Lm，及变换器输入输出关系有
（16）
而根据式（8），为了使输出滤波前电流io在t3～t4时间段下降不要太快，最好有N3≤N2。
另外，为了保证t1时刻S1关断时流过副边二极管D的电流iD>0，根据式（7）有
（17）
2.3 辅助变压器激磁电感Lmr设定
为了实现S1的ZVS软开关，在(1－D)T时间内，激磁电感Lmr上电流必须反向，即
(1－D)>iLmrmax（18）
iLmrmax=iLmmax≈
（19）
将式（19）代入式（18）得
Lmr<
（20）
另外，根据Lmr与S1及S2的输出结电容谐振条件
>=（21）
得
Lmr>=
（22）
Cr=Cr1＋Cr2
（23）
而
iLmrmin=
(1－D)T－iLmrmax（24）
将式（24）代入式（22）解得
Lmr<=
（25）
比较式（20）和式（25），Lmr应该根据式（25）来设定。
另外，由式（24）可以发现，输入、输出电压一定时，随着负载的增加，iLmrmax增大〔见式（19）〕，iLmrmin减小，软开关就越不容易实现。所以，Lmr要根据满载时软开关的实现条件来设定。而当输入电压为宽范围时，随着输入电压的减小，iLmrmax增加〔由于电路工作在CCM，满载时式（19）第二项可以忽略〕，iLmrmin表达式第一项减小，iLmrmin减小，软开关就越不容易实现。所以，对于输出负载、输入电压变化的情况，Lmr要根据输出满载、输入电压最小时的软开关实现条件来设定。
同时需要指出，在能实现软开关的前提下，Lmr不宜太小，以免造成开关管上过大的电流应力及导通损耗。
2.4 死区时间的确定
为了实现S1的软开关，必须保证在t5～t6时间内，S1开始导通。否则，Lmr上电流反向，重新对Cr1充电，这样，S1的ZVS软开关条件就会丢失。因此，S2关断后、S1开通前的死区时间设定对开关管S1的软开关实现至关重要。合适的死区时间为电感Lmr与S1及S2的输出结电容谐振周期的1/4，即
tdead1=
（26）
