按照图1所示，继续进行迭代过程的下一步，以便寻找合适的MOSFET来作为同步整流和开关MOSFET。这一步是要计算每个MOSFET周围的环境温度，在这个温度下，MOSFET结温将达到我们的假定值。为此，首先需要确定每个MOSFET结到环境的热阻θJA。
热阻的估算可能会比较困难。单一器件在一个简单的印刷板上的θJA的测算相对容易一些，而要在一个系统内去预测实际电源的热性能是很困难的，因为，那里有许多热源在争夺有限的散热通道。如果有多个MOSFET被并联使用，其整体热阻的计算方法，和计算两个以上并联电阻的等效电阻一样。
我们可以从MOSFET的θJA规格开始。对于单一管芯、8引脚封装的MOSFET来讲，θJA通常接近于62℃／W。其他类型的封装，有些带有散热片或暴露的导热片，其热阻一般会在40℃／W至50℃／W(见表1所列)。可以用下面的公式计算MOSFET的管芯相对于环境的温升Tj(rise)，即
Tj(rise)=PL×θJA（5）
接下来，计算导致管芯达到预定Tj(hot)时的环境温度Tambient， 即
表1 MOSFET封装的典型热阻 封装 θJA/(℃/W)
最小引线面积
θJA/(℃/W)敷铜4.82g/cm2
θJA/(℃/W) SOT23（热增强型） 270 200 75 SOT89 160 70 35 SOT223 110 45 15 8引脚μMAX/Micro8（热增强型） 160 70 35 8引脚TSSOP 200 100 45 8引脚SO（热增强型） 125 62.5 25 D－PAK 110 50 3 D2－PAK 70 40 2 说明：由于封装的机械特性、管芯尺寸和安装及绑定方法等原因，所以同样封装类型的不用器件，以及不同制造商出品的相似封装的热阻也各不相同，为此，应仔细考虑MOSFET数据手册中的热信息。
Tambient=Tj(hot)－Tj(rise)（6）
如果计算出的θJA低于机壳的最大额定环境温度，必须采用下列一条或多条措施：
——升高预定的Tj(hot)，但不要超出数据手册规定的最大值；
——选择更合适的MOSFET以降低其功耗；
——通过增加气流或MOSFET周围的铜膜降低θJA。
再重算Tambient(采用速算表可以简化计算过程，经过多次反复方可选出一个可接受的设计)。而表1为MOSFET封装的典型热阻。
如果计算出的Tambient高出机壳的最大额定环境温度很多，可以采取下列一条或全部措施：
——降低预定的Tj(hot)；
——减小专用于MOSFET散热的铜膜面积；
——采用更廉价的MOSFET。
这些步骤是可选的，因为在此情况下MOSFET不会因过热而损坏。不过，通过这些步骤只要保证Tambient高出机壳最高温度一定裕量，便可以降低线路板面积和成本。
上述计算过程中最大的误差源来自于θ JA。应该仔细阅读数据手册中有关θJA规格的所有注释。一般规范都假定器件安装在4.82g/cm2的铜膜上。铜膜耗散了大部分的功率，不同数量的铜膜θ JA差别很大。例如，带有4.82g/cm2铜膜的D－Pak封装的θ JA会达到50℃／W。但是如果只将铜膜铺设在引脚的下面，θJA将高出两倍(见表1)。如果将多个MOSFET并联使用，θ JA主要取决于它们所安装的铜膜面积。两个器件的等效θ JA可以是单个器件的一半，但必须同时加倍铜膜面积。也就是说，增加一个并联的MOSFET而不增加铜膜的话，可以使RDS(on)减半但不会改变θ JA很多。最后，θ JA规范通常都假定没有任何其它器件向铜膜的散热区传递热量。但在大电流情况下，功率通路上的每个元器件，甚至是印刷板线条都会产生热量。为了避免MOSFET过热，须仔细估算实际情况下的θ JA，并采取下列措施：
——仔细研究选定MOSFET现有的热性能方面的信息；
——考察是否有足够的空间，以便设置更多的铜膜、散热器和其它器件；
——确定是否有可能增加气流；
——观察一下在假定的散热路径上，是否有其它显著散热的器件；
——估计一下来自周围元件或空间的过剩热量或冷量。
3 结语
热管理是大电流便携式DC/DC设计中难度较大的领域之一。这种难度迫使我们有必要采用上述迭代流程。尽管该过程能够引领热性能设计者靠近最佳设计，但是还必须通过实验来最终确定设计流程是否足够精确。应计算MOSFET的热性能，为它们提供足够的耗散途径，然后在实验室中检验这些计算，这样有助于获得一个耐用而安全的热设计。
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