图8在过载条件下的折背（foldback）响应曲线比较
图9在折背响应期间的管壳温度比较
全桥变换器在250A的负载电流下工作，若将输出端短路2分钟，SMPSIGBT的管壳温度为32℃，而MOSFET的管壳温度达38℃。
33其它应用
SMPSIGBT在功率因数校正（PFC）电路及其它一些变换器拓扑结构中，替代额定电压/电流相同或相近的MOSFET，同样可以减少系统成本，降低功率损耗，提高电源效率、密度和可靠性。SMPSIGBT的问世，开始了IGBT在高频化SMPS中应用的一个新时代。
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