图7为FQP10N20与普通MOSFET关断损耗波形比较。波形面积与器件关断期间的能耗成正比，由于QFET的波形面积小于普通MOSFET，故有较低的关断损耗。图8示出了关断期间栅－源极之间电压Vgs的波形对比。由于QFET有较小的栅极电荷，所以Vgs的关断下降时间比普通MOSFET短。
图9为在不同工作频率下对升压变换器测试所获得的数据绘制的效率曲线。由图9可知，采用FQP10N20(QFET)替代普通MOSFET，效率有（2～4）％的提高。并且随频率增加，QFET对效率的改进更加明显。
图9在相同工作条件下效率比较
4结语
设计高效开关电源，重点是选用低开关损耗的功率MOSFET。快捷半导体推出的QFET新一代MOSFET，具有低开通电阻和小栅极电荷特性，实现了低开关损耗和驱动损耗，从而提高了电源效率。
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