您当前的位置:五五电子网电子知识电工技术经验交流为LM510X系列器件选择外置的自举二极管 正文
为LM510X系列器件选择外置的自举二极管

为LM510X系列器件选择外置的自举二极管

点击数:7959 次   录入时间:03-04 11:51:55   整理:http://www.55dianzi.com   经验交流
在类似半桥转换器或者同步降压转换器的应用中,将功率MOSFET用作高侧开关的栅极驱动的要求总结如下:——栅电压必须比电源电压高出6至12V。为了完全开启高侧开关,必须将栅源电压提高到大于阈值电压加上完全开启MOSFET所需的最小电压。


——必须通过逻辑电平控制栅电压,通常会以接地为参考电压。因此,需要将控制信号电平移位到高侧MOSFET的源极(HS结点),而在大多数应用中,电平在接地和高压轨之间摆动。


——必须将栅驱动器的功耗维持在封装散热的限制之内。高度集成的栅驱动器IC集成了下列模块。


——低侧栅极驱动器


——高侧电平移位器


——高侧栅极驱动器


——高侧和低侧驱动器的欠压锁定保护


——自举二极管


本文关键字:二极管  经验交流电工技术 - 经验交流

《为LM510X系列器件选择外置的自举二极管》相关文章>>>