半导体脉冲激光二极管的基本特性

　　目前有多种类型脉冲驱动型半导体激光二极管可供利用：单异质结构和双异质结构的GaAs激光二极管、多层异质结构AlGaAs/GaAs激光二极管和MOCVD InGaAs量子阱型激光二极管等。考虑到散热以及对光输出功率的限制，以及特定应用对激光输出波形的要求，这些激光二极管必须以脉冲方式工作。选择适合的激光二极管，是设计激光发生器的第一步。

脉冲宽度减小，有利于获得更大峰值功率。当然，优良的激光二极管也只有与优良的驱动脉冲源配合，才可能最大限度地发挥器件潜能，并达到最佳运用。

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