只读存储器ROM的特点是信息存入以后，在电路的工作过程中只能读取不能随意改写信息。而随机存储器的信息，在电路工作过程中可以根据需要随时改写或读出。
24.1.1 ROM的分类
ROM按其内容写入方式，一般分为三种：固定内容ROM
这种ROM是采用掩模工艺制作的，其内容在出厂时已固定用户无法修改, 图24-2为固定内容ROM存储矩阵的例子。
由于固定ROM所存信息不能修改，断电后信息不消失，所以常用来存储固定的程序和数据。如在计算机中，用来存放监控、管理等专用程序。可编程ROM （PROM）
PROM（Programmable ROM）是可一次编程ROM。这种存储器在出厂时未存入数据信息。单元可视为全“0”或全“１”，用户可按设计要求将所需存入的数码“一次性地写入”，一旦写入后就不能再改变了。这种PROM在每一个存储单元中都接有快速熔断丝，在用户写入数据前，各存储单元相当于存入“1”。写入数据时，将应该存“0”的单元，通以足够大的电流脉冲将其熔丝烧断即可。那些熔丝烧断，那些保留，可用熔丝图表示，在其他没有熔丝结构的存储器中，也采用熔丝图这一名词。可擦可编程ROM（EPROM、E2PROM和Flash）
为了克服PROM只能写入一次的缺点，又出现了多次可擦除可编程的存储器。这种存储器主要有三种，一种是电写入紫外线擦除的存储器EPROM（Erasable programmable read-only memory）；第二种是电写入电擦除的存储器，称为EEPROM或E2PROM（Electrically erasable programmable read-only memory）[3-2]；第三种是快闪存储器Flash Memory[3-3]。
[3-1]
EPROM内容的改写不象RAM那么容易，在使用过程中，EPROM的内容是不能擦除重写的，所以仍属于只读存储器。要想改写EPROM中的内容，必须将芯片从电路板上拔下，放到紫外灯光下数分钟，使存储的数据消失。数据的写入可用软件编程，生成电脉冲来实现。
EPROM存储器之所以可以多次写入和擦除信息，是因为采用了一种浮栅雪崩注入MOS管FAMOS(Floating gate Avalanche injection MOS)来实现的。浮栅型MOS晶体管的结构示意图见图24-1-1所示。FAMOS的浮动栅本来是不带电的，所以在S、D之间没有导电沟道，FAMOS管处于截止状态。如果在S、D间加入10~30V左右的电压使PN结击穿，这时产生高能量的电子，这些电子有能力穿越SiO2层注入由多晶硅构成的浮动栅上。于是浮栅被充上负电荷，在靠近浮栅的表面的N型半导体形成导电沟道，使MOS管处于长久导通状态。FAMOS管作为存储单元存储信息，就是利用其截止和导通两个状态来表示“1”和“0”的。
图24-1-1 FAMOS管的结构
要擦除写入信息时，用紫外线照射氧化膜，可使浮栅上的电子能量增加从而逃逸浮栅，于是FAMOS管又处于截止状态。擦除时间大约为10~30分钟，视型号不同而异。为便于擦除操作，在器件外壳上装有透明的石英盖板，便于紫外线通过。在写好数据以后应使用不透明的纸将石英盖板遮蔽，以防止数据丢失。[3-1]
[3-2]
24.1.1.4 E2PROM
EPROM要改写其中的存储内容，需要从电路板上拔下，放到紫外线擦除器中进行照射，一般在10多分钟，可将存储的信息擦除，方可重新编程，使用起来不太方便。E2PROM（Electrically erasable programmable read-only memory）是一种电写入电擦除的只读存储器，擦除时不需要紫外线，只要用加入10ms、20V左右的电脉冲即可完成擦除操作。擦除操作实际上是对E2PROM进行写“1”操作，全部存储单元均写为“1”状态，编程时只要对相关部分写为“0”即可。
E2PROM之所以具有这样的功能，是因为采用了一种浮栅隧道氧化层MOS管Flotox（Floating gate Tunnel Oxide）。在Flotox管的浮栅与漏区之间有一个氧化层在20nm左右十分薄的氧化层区域，称为隧道区，当这个区域的电场足够大时，可以在浮栅与漏区出现隧道效应，形成电流，可对浮栅进行充电或放电。放电相当写“1”，充电相当写“0”。所以E2PROM使用起来比EPROM方便得多，改写重新编程也节省时间。[3-2]24.1.1.5 Flash Memory
[3-3]
快闪存储器Flash Memory是新一代E2PROM，它具有E2PROM擦除的快速性，结构又有所简化，进一步提高了集成度和可靠性，从而降低了成本。目前除了各种快闪存储器的产品面世外，快闪存储器还向其他应用领域拓展，例如现在已经出现了应用于计算机上的可移动磁盘，以代替软磁盘。可移动磁盘的容量大的已经做到
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