四、半导体三极管
双极型晶体管（BJT）又称半导体三极管、晶体三极管等，简称晶体管。晶体管的基本结构是由两个PN结构成，按PN结的组成方式分为NPN型和PNP型两种，无论NPN还是PNP都有三个区：集电区、基区、发射区。由三个区引现的电极分别称为集电极、基极、发射极。两个PN结分别称为发射结和集电结。
晶体管的结构特点：发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。
输入特性曲线有一个开启电压。硅管的开启电压为0.5V，发射结的导通电压UON为0.6~0.7V；锗管的开启电压为0.2V，发射结的导通电压UON为0.2~0.3V；
晶体管有三个工作区域：截止区、放大区和饱和区。当发射结正向偏置，集电结处于反向偏置时，它工作在放大区。这时，IC只受IB控制，IC=βIB几乎与UCE的大小无关。说明晶体管相当于一个输出电流IC受IB控制的受控电流源。所以晶体管是电流控制器件。三极管工作在放大区时，三个电极之间的关系为：对于NPN型，VC>VB>VE；对于PNP型，VC<VB<VE；
发射结正向偏置、集电结正向偏置时，三极管工作在饱和区。此时IB再增大，IC几乎就不再增大了，晶体管失去了电流放大作用。三极管工作在饱和区时，三个电极之间的关系为：对于NPN型，VB>VC>VE；对于PNP型，VB<VC<VE
发射结反向偏置、集电结反向偏置时，三极管工作在饱和区。三极管工作在截止区时，三个电极之间的关系为：对于NPN型，VB<VE；对于PNP型，VB>VE；
晶体管的β随温度的升高将增大，温度每上升1℃，β值增大0.5%~1%，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。
ICEO是少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以温度对硅管的ICEO影响不大。
和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，UCE将下降2~2.5mV。
五、场效应管
场效应晶体管（Field-Effect Transistor ,FET）是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管按结构，可分为结型和绝缘栅型两大类。绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用SiO2绝缘层隔离，故有绝缘栅型之称。或者按其金属-氧化物-半导体的材料构成，可称其为MOS管。
场效应晶体管输出特性曲线分成四个区域：可变电阻区、恒流区、击穿区、截止区。
MOSFET与BJT都是半导体晶体管，MOSFET的源极、漏极、栅极分别相当于BJT的发射极、集电极、基极。BJT的集电极电流IC受基极电流IB的控制，是一种电流控制器件；而MOSFET的漏极电流ID受栅-源电压UGS的控制，是一种电压控制元件。但与BJT相比，MOSFET具有输入电阻大、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电少等优点。这些优点使之从20世纪末60年代一诞生就广泛应用于各种电子电路中。另外，MOSFET的制造工艺比较简单，占用芯片面积小，特别适用于制造大规模集成电路。
与BJT类似，MOSFET不仅可以通过UGS控制ID实现对信号的放大作用，而且也可以作为开关元件，通过UGS控制其导通或判断，广泛用于开关电路和脉冲数字电路中。
上一篇：y1电容和y2电容的区别
