1. 在本征半导体中，电子和空穴在数量上有什么关系？
答：电子和空穴在数量上有相等
2. 空间电荷区是由电子空穴还是由施主离子/受主离子构成的？空间电荷区又叫耗尽区。为什么？
答:空间电荷区是由施主离子和受主离子构成的。空间电荷区内因为多子的扩散和中和作用已经没有多余的电子和空穴了。所以又称为耗尽层。
3. 将二极管看作一个电阻，它和一般由导体构成的电阻有什么区别？
因为二极管有单向导电性。其电阻正反向是不同的，反向可以看作一个无穷大电阻；正向电阻则和二极管的材料以及通电的电流有关；以硅二极管为例，其正向导通电压近似为0.7V，如果电流为0.7A，则根据欧姆定律，等效电阻相当于1欧姆，如果电流变化后，则等效电阻相应变化。
4. 如何用万用表的Ω挡测同一二极管的阳/阴两极（注：模拟万用表的黑笔接表内直流电源的正极，红笔接负极？
测量的方法是先把万用表拨到“欧姆”档（通常用R×100或R×1K），然后用万用表分别接到二极管的两个极上去。当表内的电源使二极管处于正向接法时，二极管导通，阻值较小（几十欧到几千欧的范围），这就告诉我们黑表笔接触的时二极管的正极；红表笔接触的时二极管的负极（见图3）；当表内的电源使二极管处在反向接法时，二极管截止，阻值很大（一般为几百千欧），这就告诉我们黑表笔接触的是二极管的负极，红表笔接触的是二极管的正极。
5. 用万用表的Ω挡测同一二极管的正向电阻时，放在不同的挡位上测出的电阻值相同吗？为什么？
不同。因为二极管是由PN结组成的，PN结的电阻是随加在其两端的电压变化而变化的，而万用表的Ω挡的倍率不同其串联的电阻不同，这样在二级管两端的分到的电压降不同，二极管工作点的位置不同。所以二极管的电阻是变化，所以测出电阻值是不同的。
6. 二极管的直流电阻RD与交流电阻rd有什么不同？
直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID之比，RD的大小与二极管的工作点有关，通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻。不过应注意的是，使用不同的欧姆挡测出来的直流等效电阻不同，其原因是二极管工作点的位置不同。一般二极管的正向直流电阻在几十欧姆到几千欧姆之间，反向直流在几十千欧姆到几百千欧姆之间，正反向直流电阻差距越大，二极管的单向导电性能越好。2）交流等效电阻rd，亦随工作点而变化，是非线性电阻，通常，二极管的交流正向电阻在几~几十欧姆之间，需要指出的是，由于制造工艺的限制，即使是同类型号的二极管，其参数的分散性很大。通常半导体手册上给出的参数都是在一定测试条件下测出的使用时应注意条件。
7. 将不稳定的直流电源直接与稳压管并联，即电源正端接稳压管的阴极，负端接阳极问在稳压管的两端能否获得稳定的电压？为什么？
若在电源与稳压管之间串联一限流电阻，其效果如何？
在稳压管的两端不能获得稳定的电压。因为没有在稳压管前串入调整电阻，只有在前面串入调整电阻后，当电压高于稳压管稳定电压后，稳压管流过电流，增加调整电阻的压降，从而改变稳压管两端的电压降低，反则减小稳压管的电流，而使稳压管两端的电压增大，而获得稳定的电压。
在电源与稳压管之间串联一限流电阻就能获得一稳定的电压。
8. 既然三极管具有两个PN结，能否用两面个二极管联接成一只三极管，为什么？
当然不可以了！三极管内部是NPN或PNP的结构，二极管是PN结构，如果两个二极管就成了PNNP或NPPN的结构了！三极管必须有一个共用的N或P区才可以工作在放大状态，否则就无法放大了。
你要是反过来把三极管当一个二极管用倒是可以。
9. 三极管具有放大作用的外部条件是什么？对于NPN管和PNP管怎样加电源电压才能使其满足放大条件？
三极管具有放大作用的外部条件是集电结正偏，发射结反偏。
对于NPN管是UC〈UB〈UE
对于PNP管是UC〉UB〉UE
10. 能否将三极管的C与E交换使用？为什么？
不能的，E为发射极，C是集电极。发射机的电流=集电极电流+基极电流
NPN型的三极管电流从基极和集电极流入，射级流出
PNP型的三极管电流从射级流入，基极和集电极流出
处于放大状态时电位：NPN 集电极＞基极＞射级
pnp 集电极＜基极＜射级
11. 用一只万用表，如何判断一个晶体管是NPN型还是PNP型？并分辨出三个电极？
1. 正测与反测 将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻，再红黑表笔互换仍测这两脚电阻，两次测量电阻读数不同，我们把电阻读数较小的那次测量叫正测，我们把电阻读数较大的那次测量叫反测。
2. 确定基极 将晶体管三只管脚编上号 1.2.3 . 万用表作三种测量,即1-2， 2-3，3-1，每种又分正测和反测。这六次测量中, 有三次属正测， 且电阻读数个不相同。找出正测电阻最大的那只管脚，例如1-2，另一支管脚3便是基极。这是由于不论管或管，都为两个二极管反向连接而成（如附图）。发射极，集电极与基极间的正测电阻即一般二极管正向电阻，很小。当两表笔接集电极和发射极时，其阻值远大于一般二极管正向电阻。
3. 判别极性 黑表笔接已确定的基极，红表笔接另一任意极，若为正测，则为NPN管，若为反测，则为PNP管。这是因为黑表笔接万用表内电池正端，如为正测，黑表笔接的是P端，晶体管属NPN型。如为反测，黑表笔接的是N端，晶体管属PNP型。
4. 确定集电极和发射极对集电极和发射极作正测。在正测时，对NPN管黑表笔接的是集电极，对PNP管，黑表笔接的是发射极。这是因为不论正测或反测，都有一个PN结处于反向，电池电压大部分降落在反向的PN结上。发射结正偏，集电路反偏时流过的电流较大，呈现的电阻较小。所以对NPN管，当集,射间电阻较小时，集电极接的是电池正极，即接的是黑表笔。对PNP管，当集，射间的电阻较小时，发射极接的是黑表笔。
5. 判别是硅管还是锗管 对发射极基极做正测， 若指针偏转了1/2--3/5，是硅管。若指针偏转了4/5以上，是锗管。这是因为电阻挡对基——射极作正测时, 加在基射间的电压是Ube=(1-n/N)E， E=1.5v是电池电压，N是有线性刻度的某一直流电压的总分格数，n是表针在该刻度线上偏转的分格数。通常硅管U=0.6~0.7v， 锗管Ube=0.2~0.3v。因此在测试时， 对硅管， n/N约为1/2-3/5；对锗管， n/N约为4/5以上。 另外，对于一般小功率的判别，万用表不宜采用Rx10或Rx1挡。以500型万用表测硅管来说明，该表内阻在Rx10挡是100欧，对硅管b.e极作正测是，电流达Ibe=(1.5v-0.7v)/100欧=8mA，? 测锗管时电流还要大，用Rx1挡电流更大，有可能损坏晶体管。至于Rx1k挡，该挡电池电压较高，常见的有1v,12v,15v,22.5v等几种，反测时有可能造成PN结击穿，故此挡也应慎用。
12. 场效应管的D与S能否交换使用？
场效应管的D极和S极可交换使用
13. 为什么MOSFET的输入电阻比JFET的输入电阻大？
mosfet是绝缘栅场效应管 是电压控制的 输出电流 ，由于是绝缘栅 所以阻抗那是相当的大 基本上输入电流为0
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