微机保护装置抗干扰措施方法

(2)SRAM芯片的检测。SRAM为静态随机存储器芯片。用于存放微机继电保护中的采样数据、中间结果、各种标志、各种报告等内容。在微机继电保护装置正常工作时，SRAM 的每个单元应能正确读写。因此应对S R A M 进行读写正确性的检查。这不仅可检查出R A M芯片的损坏，还可发现地址、数据线的错误。例如，两条地址线或数据线的粘连。检查的方法是选择一定的数据模式进行读写正确性检查。一般是用四个内型数据检查，即00H，0FFH，0AAH，55H。将数据写入某个R A M单元，然后再从RAM 单元读出，比较读出的内容是否与刚才写入的内容一致，如不一致，则说明RAM出错。在微机继电保护装置刚上电的全面自检中，可对所有RAM 单元检查一遍。在运行过程中对R A M 进行自检时，应注意检查时必须保护R A M 单元的内容，否则会由于读写检查破坏有用数据，产生不良后果。

(3)芯片的检测。是电擦除、电改写的只读存储器芯片，用于存放微机继电保护的定值。对其检查的方法与对EPROM的求和尾数校验法相同。

(4)开关量输出电路的检测。开关量输出电路的自检功能应当设置在最高优先级的中断服务程序中，或者先屏蔽中断再检测，否则，如在CPU发生检测驱动信号后被中断打断，就可能无法及时收回检测信号,从而导致继电器误吸合。检查的方法是送出驱动命令，读自检反馈端的电位状态；送出闭锁命令，读自检反馈端的电位状态；无论是驱动命令或闭锁命令，如自检反馈的状态不正确，说明开关量输出电路有故障。

(5)开关量输入通道的检测。对开关量输入通道的检查主要是监视各开关量是否发生变位。由于保护动作(例如启动重合闸的开入量)或运行人员的操作(投退保护压板)时，会发生开关量输入的变化。所以，有开入变位不一定是开入回路有故障，因此，软件只是监视这种变化，发生变化时给出提示信息，不告警。

    (6)CPU的工作状态检测。在多CPU(或多单片机)系统中，一般是采用相互检查的方法。例如在有一个管理单片机和N个保护功能单片机时，它们之间必然要通过串行口通信。因此，可用一个通信编码实现相互联系，一旦这种联系中断，说明单片机故障，或通信故障。

2.2.2处理过程校核

在微机继电保护系统中，反复进行校核是抗干扰的重要措施。由于干扰是随机和短时的，如果事先规定满足多重条件时才能发出出口命令，而干扰造成多重条件都能满足的概率非常小，这样就可以有效地避免保护装置的误动作。由于微机继电保护的整体功能是以很短的周期循环处理的，应该动作而由于干扰使得某个条件不满足时，不会造成保护拒动，充其量会带来一个小时的延迟。一般有以下几种校核方式：

2.2.2.1功能顺序校核

微机继电保护装置的功能是由若干个子功能构成的，包括各个计算子程序及逻辑判断子程序等。干扰可能造成CPU的程序计数器（PC）或传递的数据地址、指令出错。如果出现错误的转移，就会不执行某些功能块或者执行不完全，而导致最终结果错误。为了避免这种情况，可以事先设置一个控制标志字，其中一个标志对应一个功能块。每当一个处理周期开始时，先将所有的标志位清零，然后在程序执行过程中由各子功能块对相应标志置位。在适当的时候对标志字校核，只有当标志位被充分置位时，才认为此次循环的结果是可信的。

2.2.2.2复算校核

    在微机继电保护中，还可以通过整个过程的重复来校核由于干扰可能造成的运算出错。一般有两种方法：一是在运算的结尾由程序安排CPU将运算结果暂时保存起来，再利用原始数据复算一次，然后与前一次结果相比较，如果一样，则说明结果可信；如果两次结果不一样，则再复算一次，三取二表决，或直至两次结果一样。另一种方法是在复算时将算法所依据的数据窗顺移一个采样值。例如算法要求的数据窗长度为N点，第一次利用x（0）x（1）...x（N）再算，正常时这两次结果不会完全一样，但电流、电压有效值或阻抗等的计算结果应当十分接近。第二种做法不仅可以排除干扰造成的运算出错，也对原始数据进行了进一步的把关。复算校核的缺点是增加了计算量，很可能会增加微机继电保护装置的动作延时。

2.2.3其他主要软件抗干扰措施

    针对干扰对系统软件的影响，现从抑制和消除数据采集误差、控制失灵、数据出错、程序跑飞等四个方面给出常用的软件抗干扰措施。

2.2.3.1数据采集误差的软件抗干扰措施

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